[發明專利]氯摻雜多層石墨烯薄膜制備方法有效
| 申請號: | 201611191522.X | 申請日: | 2016-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN106601591B | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 唐利斌;姬榮斌;項金鐘;張倩 | 申請(專利權)人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C01B32/184 |
| 代理公司: | 53114 昆明祥和知識產權代理有限公司 | 代理人: | 施建輝<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 650000 *** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜 多層 石墨 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種氯摻雜多層石墨烯薄膜制備方法,其特征在于該制備方法采用乙二醇和鹽酸按一定摩爾比反應生成后的溶液經旋涂退火后一次性生成氯摻雜石墨烯薄膜,包括液相化學反應、旋涂和退火三個步驟,具體如下:
1)液相化學反應:取30ml乙二醇和9ml鹽酸,置于100ml燒杯中,用機械攪拌器攪拌同時在加熱板上加熱,設置加熱板溫度為200℃,直至混合均勻的溶液變為金黃色且不再繼續變色為止,保留均勻棕色清液裝于棕色樣品瓶中留待備用;
2)旋涂:將步驟1)中摻氯的石墨烯前驅體配成0.5g/ml的溶液用一次性滴管取適量滴在處理過的石英片上,將其在轉速設置為1000~2000/min 的勻膠機上進行旋涂;
3)退火:將旋涂在石英片襯底上的薄膜置于80℃下烘烤20min,然后在650℃下退火3小時,即可得到氯摻雜多層石墨烯薄膜。
2.如權利要求1所述的氯摻雜多層石墨烯薄膜制備方法,其特征在于所述的石英片的處理方法,是將石英片放入以氨水:雙氧水:去離子水體積比為1:1:2的40ml的混合溶液中,并在溫度為80℃的加熱板上加熱30min,將加熱后的石英片取出,用去離子水沖洗并吹干,使石英片表面光滑,不存在水跡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





