[發明專利]制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法有效
| 申請號: | 201611191110.6 | 申請日: | 2016-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN106783128B | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發明(設計)人: | 魯飛;孫良成;劉小魚;楊占峰;陳蓓新;劉樹峰;邢正茂;張剛;李慧;白洋;王峰;李靜雅;鄭天倉 | 申請(專利權)人: | 包頭稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司;包頭云捷電爐廠 |
| 主分類號: | H01F41/02 | 分類號: | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/10 |
| 代理公司: | 北京康盛知識產權代理有限公司 11331 | 代理人: | 張良 |
| 地址: | 014030 內蒙古自*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 稀土 矯頑力 釹鐵硼 磁體 方法 | ||
1.一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,包括如下步驟:
(1)配料、熔煉、速凝鑄片制備釹鐵硼薄片;
(2)將步驟(1)所得的釹鐵硼薄片進行物理氣相沉積:
選擇Tb金屬靶材,抽真空至5.0×10-3Pa,充入氦氣至0.5Pa,將釹鐵硼薄片加熱到300℃,采用離子鍍,調整氬氣發射源電流,使Tb粒子沉積速率為50μm/min;
(3)將步驟(2)所得的釹鐵硼薄片氫破碎、氣流磨、取向成型、燒結和熱處理,獲得釹鐵硼磁體;其中,釹鐵硼磁體的內稟矯頑力為28.45kOe。
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