[發明專利]一種硅料浮選清洗的方法

在審

• 申請號: 201611190987.3
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106583053A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 周海龍;邱建峰;王義斌;周慧敏;徐志群
• 申請（專利權）人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: B03D1/002
• 分類號: B03D1/002
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術領域

本發明屬于光伏設備制造技術領域，特別是涉及一種硅料浮選清洗的方法。

背景技術

太陽能產業正以較快速度發展，在太陽能產業中，晶體硅有著不可替代的重要作用。在太陽能硅片生產過程中，從切片到電池制作過程，會產生大量不合格的碎硅片，這就需要對其回收處理以降低生產成本。回收的廢硅片中含有膠、紙屑、塑料等有機雜質，石頭、玻璃、石墨、陶瓷等無機非金屬雜質以及不銹鋼、鋁、銅、鐵、錫等金屬雜質。

目前，對碎硅片清洗時，一般以火烤去除硅料中有機雜質，人工分選大顆粒固體雜質再加上化學腐蝕去除硅料中的雜質。人工分選的方式產量低、容易漏選、分選過程硅粉和灰塵大，對人體的危害較大，而利用酸腐蝕硅料中的雜質，化學成本高，工作環境酸霧大，產生廢酸液對環境污染大。現有技術中還有一種方式是利用三氯化銻和氯化鋅配制浮選液，進行硅料的清洗，但配制的浮選液中三氯化銻附著在硅料表面，與水接觸極易水解，水解產物附著在硅料表面，容易對硅料產生二次污染；還有一種堿液浮選的方式，能去除硅料中大部分雜質，但實際生產過程因堿液與碎硅料反應，溫度變化快，使碎硅料上浮速度難以控制，導致碎硅料大量上浮，容易夾帶部分雜質，對雜質去除的效果也不徹底。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種硅料浮選清洗的方法，投入成本低，增強對雜質的去除效果，工藝流程簡單，而且化學品用量少，對環境污染小。

本發明提供的一種硅料浮選清洗的方法，包括：

清洗硅料表面的沾污雜質；

在與水平方向呈預設角度的水槽中加滿水，并在所述水槽底部的位于水面以上預設距離的位置持續加水；

將所述硅料放入所述水面與加水位置之間的水槽底部位置，使所述硅料隨水流向下漂浮在水面上，與下沉的顆粒雜質分離；

從水面上收集漂浮的所述硅料。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述清洗硅料表面的沾污雜質之后，還包括：

將所述硅料在氫氟酸溶液中浸泡預設時間。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述預設角度為2°至3°。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述預設距離為0.2米至0.3米。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述將所述硅料在氫氟酸溶液中浸泡預設時間為：

將所述硅料在質量分數為15％至25％的氫氟酸溶液中浸泡一小時至二小時。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述清洗硅料表面的沾污雜質包括：

利用堿液清洗所述硅料；

利用純水沖洗所述硅料；

利用酸液中和所述堿液；

再次利用純水沖洗所述硅料。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述利用堿液清洗所述硅料為：

利用質量分數為20％至35％的氫氧化鈉溶液清洗所述硅料。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述利用純水沖洗所述硅料為：

利用純水沖洗所述硅料2次至3次。

優選的，在上述硅料浮選清洗的方法中，所述利用酸液中和所述堿液為：

利用濃度為34％至37％的鹽酸中和所述堿液。

通過上述描述可知，本發明提供的上述硅料浮選清洗的方法，由于包括：清洗硅料表面的沾污雜質；在與水平方向呈預設角度的水槽中加滿水，并在所述水槽底部的位于水面以上預設距離的位置持續加水；將所述硅料放入所述水面與加水位置之間的水槽底部位置，使所述硅料隨水流向下漂浮在水面上，與下沉的顆粒雜質分離；從水面上收集漂浮的所述硅料，因此投入成本低，增強對雜質的去除效果，工藝流程簡單，而且化學品用量少，對環境污染小。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的第一種硅料浮選清洗的方法的示意圖；

圖2為本申請實施例利用的水槽的示意圖。

具體實施方式

本發明的核心思想在于提供一種硅料浮選清洗的方法，投入成本低，增強對雜質的去除效果，工藝流程簡單，而且化學品用量少，對環境污染小。