[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611190809.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN106653860A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖鵬;熊紅蓮;陳國杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/24;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 周修文

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板制作第一導(dǎo)電薄膜，并對(duì)所述第一導(dǎo)電薄膜圖形化處理制備柵極；

在基板上制作電介質(zhì)薄膜，并對(duì)所述電介質(zhì)薄膜圖形化處理制備柵極絕緣層；

在基板上制作LaB_X薄膜，并對(duì)所述LaB_X薄膜圖形化處理制備有源層，其中x的取值范圍為：1.5≤x≤5.5；

在基板上制作第二導(dǎo)電薄膜，并對(duì)所述第二導(dǎo)電薄膜圖形化處理制備源極和漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在基板上制作有LaB_X薄膜的步驟具體為：采用物理氣相沉積方法在基板上制備所述有源層，通過改變物理氣相沉積方法中的工作氣壓來調(diào)節(jié)x的數(shù)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述物理氣相沉積方法中的工作氣壓為0.25pa～5pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述工作氣壓為1pa～2.5pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述LaB_X薄膜的遷移率為1cm²V^-1s^-1～100cm²V^-1s^-1。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述物理氣相沉積方法為磁控濺射、脈沖激光沉積或原子層沉積。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括基板、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，所述有源層為LaB_X薄膜，其中x的取值范圍為：1.5≤x≤5.5。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述x的取值范圍為：2.3≤x≤4.2。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述有源層的厚度為20nm～100nm。