[發明專利]集成電路結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201611190733.1
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106997153B
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 魏文信;胡憲斌;侯上勇;陳偉銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/30;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/52
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例提供了集成電路結構及其制造方法。該方法包括對光刻膠執行第一光照射和第二光照射。使用第一光刻掩模，對光刻膠執行第一光照射，所述第一光刻掩模覆蓋所述光刻膠的第一部分。所述光刻膠的第一部分具有在第一光照射中曝光的第一帶狀部分。使用第二光刻掩模，對所述光刻膠執行第二光照射，所述第二光刻掩模覆蓋所述光刻膠的第二部分。所述光刻膠的第二部分具有在所述第二光照射中曝光的第二帶狀部分。所述第一帶狀部分和所述第二帶狀部分具有雙次曝光的重疊部分。該方法還包括使光刻膠顯影，以去除第一帶狀部分和第二帶狀部分，蝕刻光刻膠下方的介電層以形成溝槽，以及用導電部件填充溝槽。

技術領域

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路結構及其形成方法。

背景技術

在集成電路的封裝中，可以將多個器件管芯接合在中介晶圓上，中介晶圓包括位于其中的多個中介層。在接合器件管芯之后，將底部填充物分布到器件管芯與中介晶圓之間的間隙內。然后，可以實施固化工藝以固化底部填充物?？梢允┘幽Ｋ芰弦悦芊庠谄渲械钠骷苄尽Ｈ缓?，將產生的中介晶圓與其上的頂部管芯鋸切分割為多個封裝件，這些封裝件包括諸如焊球的露出的電連接件。之后，封裝件接合至封裝襯底或印刷電路板。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種形成集成電路結構的方法，包括：使用第一光刻掩模，對光刻膠執行第一光照射，其中，所述第一光刻掩模覆蓋所述光刻膠的第一部分，并且所述光刻膠的所述第一部分包括在所述第一光照射中曝光的第一帶狀部分；使用第二光刻掩模，對所述光刻膠執行第二光照射，其中，所述第二光刻掩模覆蓋所述光刻膠的第二部分，并且所述光刻膠的所述第二部分包括在所述第二光照射中曝光的第二帶狀部分，并且所述第一帶狀部分和所述第二帶狀部分具有雙次曝光的重疊部分；使光刻膠顯影以除去所述第一帶狀部分和所述第二帶狀部分；蝕刻位于所述光刻膠下方的介電層，以形成溝槽；以及用導電部件填充所述溝槽。

根據本發明的另一方面，提供了一種形成集成電路結構的方法，包括：形成包括第一區域、第二區域和第三區域的介電層，所述第三區域接合且在所述第一區域和所述第二區域之間；在所述介電層上方形成光刻膠，所述光刻膠包括分別覆蓋所述介電層的所述第一區域、所述第二區域以及所述第三區域的第一部分、第二部分以及第三部分；對所述光刻膠的所述第一部分和所述第三部分執行第一光照射，而所述光刻膠的所述第二部分不曝光；對所述光刻膠的所述第二部分和所述第三部分執行第二光照射，而所述光刻膠的第一部分不曝光；使所述光刻膠顯影以形成圖案化的光刻膠；將圖案化的所述光刻膠用作蝕刻掩模，蝕刻所述介電層，其中，溝槽形成為連續地延伸到所述介電層的所述第一區域，所述第二區域以及所述第三區域中；用導電材料填充所述溝槽以形成導電部件。

根據本發明的又一方面，提供了一種集成電路結構，包括：管芯包括：襯底；導電部件，位于所述襯底的上方且在所述管芯的表面處；和導線，電連接至所述導電部件，其中，所述導線包括：第一區域中的第一部分，其中，所述導電部件在所述第一區域中；第二區域中的第二部分；和第三區域中的第三部分，其中，所述第三區域在所述第一區域和所述第二區域之間，并且所述第三部分的寬度比所述第一部分和所述第二部分的寬度都大。

附圖說明

在閱讀附圖時，本發明的各個方面可從下列詳細描述獲得最深入理解。應當注意，根據工業中的標準實踐，各個部件并非按比例繪制。事實上，為了清楚討論，各個部件的尺寸可以任意增大或減小。

圖1至圖19示出了根據一些實施例的通過縫合形成芯片的中間階段的截面圖和頂視圖。

圖20至圖21示出了根據一些實施例的通過縫合形成大芯片。

圖22示出了根據一些實施例的通過縫合形成大芯片的工藝流程圖。

圖23示出了根據一些實施例的襯底上的晶圓上的芯片(CoWoS)結構的截面圖。

具體實施方式