[發(fā)明專利]一種大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201611189530.0
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106842413A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬紹朔;裴麗;鄭晶晶;王一群;王建帥
• 申請（專利權(quán)）人: 北京交通大學(xué)
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 北京衛(wèi)平智業(yè)專利代理事務(wù)所(普通合伙)11392
• 代理人: 董琪

1.大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：該光纖中心為摻稀土離子芯區(qū)(1)，由內(nèi)到外分布第一層硅環(huán)芯(2，1)、第一層摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……第N層硅環(huán)芯(2，N)、第N層摻稀土離子環(huán)芯(3，N)，該光纖內(nèi)包層圍繞第N層摻稀土離子環(huán)芯(3，N)均勻分布M個相同半徑和弧度的瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)，內(nèi)包層(5)，外包層(6)，1≤N≤5整數(shù)，3≤M≤32整數(shù)；

摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的折射率相等；第一層硅環(huán)芯(2，1)……第N層硅環(huán)芯(2，N)的折射率相等；第一層硅環(huán)芯(2，1)……第N層硅環(huán)芯(2，N)的折射率小于摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的折射率；內(nèi)包層(5)的折射率小于第一層硅環(huán)芯(2，1)……第N硅環(huán)芯(2，N)的折射率，外包層(6)的折射率小于內(nèi)包層(5)的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子或鉺鐿共摻離子；摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的摻稀土離子類型相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(qū)(1)的纖芯直徑小于等于50μm；摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)的各環(huán)芯厚度小于等于5μm，瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的半徑小于等于25μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(qū)(1)與第一層摻稀土離子環(huán)芯(3,1)的最小距離小于等于5μm，各層摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)之間的最小距離小于等于5μm，瓣狀纖芯(4,1)、(4,2)……(4,M)均勻分布，瓣狀纖芯由一根光纖預(yù)制棒處理成，各塊瓣狀纖芯弧度等于360°除以M。