[發明專利]GaAs?Ge?GaAs異質結構的SPiN二極管及其制備方法在審
| 申請號: | 201611187762.2 | 申請日: | 2016-12-20 | 
| 公開(公告)號: | CN106449734A | 公開(公告)日: | 2017-02-22 | 
| 發明(設計)人: | 王斌;蘇漢;王禹;胡輝勇;楊佳音;張鶴鳴;宋建軍;舒斌;宣榮喜;苗淵浩;郝敏如 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 | 
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/872 | 
| 代理公司: | 深圳精智聯合知識產權代理有限公司44393 | 代理人: | 王海棟 | 
| 地址: | 710000 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 | 
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | gaas ge 結構 spin 二極管 及其 制備 方法 | ||
【說明書】:
                
            
                    下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
                
                
            該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學,未經西安電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611187762.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





