[發(fā)明專利]拋光粒子?分散層復(fù)合體及包括此的拋光料漿組合物

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611186960.7
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN106987209A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)璋國(guó);李性表;權(quán)昌吉;黃晙夏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C09G1/02
• 分類號(hào): C09G1/02
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華,石磊

1.一種拋光粒子-分散層復(fù)合體，其包括：

拋光粒子；

第一分散劑，從氨基酸、有機(jī)酸、聚亞烷基二醇及葡萄糖胺化合物結(jié)合的高分子多糖體形成的群中選擇的至少任何一個(gè)的陽離子性化合物；及

第二分散劑，在分子式內(nèi)包括兩個(gè)以上被離子化陽離子的陽離子性聚合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子和所述第一分散劑的結(jié)合，及所述第一分散劑和第二分散劑的結(jié)合是化學(xué)結(jié)合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子表面、所述第一分散劑及第二分散劑顯示陽電荷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述陽離子性聚合物包括由陽離子活性的兩個(gè)以上的氮。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，在所述拋光粒子-分散層復(fù)合體內(nèi)，包括0.1重量百分比至10重量百分比的所述第一分散劑，且

在所述拋光粒子-分散層復(fù)合體內(nèi)，包括0.01重量百分比至5重量百分比的所述第二分散劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子-分散層復(fù)合體還包括：

非離子性化合物，從聚乙二醇、聚丙二醇、乙烯丙烯共聚物、聚烷基氧化物、聚氧化乙烯、聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯烷基醚、聚乙二醇烷基酯、聚氧乙烯醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚氧化乙烯十二烷基醚、聚氧化乙烯十六醚、聚氧化乙烯油基醚、聚氧化乙烯去水山梨醇月桂酸酯及聚氧化乙烯苯基醚形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，在所述拋光粒子-分散層復(fù)合體內(nèi)包括0.001重量百分比至1重量百分比的所述非離子性化合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子包括：

從金屬氧化物、有機(jī)物或無機(jī)物被涂層的金屬氧化物，及膠體狀態(tài)的所述金屬氧化物形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，且

所述金屬氧化物包括：

從二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦、鋇二氧化鈦、氧化鍺、氧化錳及氧化鎂形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子的直徑是10nm至300nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子在所述拋光粒子-分散層復(fù)合體中是0.1重量百分比至10重量百分比。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體，其特征為，所述拋光粒子由液態(tài)法制造，使粒子表面具有陽電荷被分散。

12.一種拋光料漿組合物，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至11中任何一項(xiàng)所述的拋光粒子-分散層復(fù)合體。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拋光料漿組合物，其特征為，所述拋光料漿組合物的pH是3至6。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拋光料漿組合物，其特征為，所述拋光料漿組合物的電動(dòng)電位是10mV至60mV。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拋光料漿組合物，其特征為，利用所述拋光料漿組合物，拋光在覆蓋晶片包括的氧化膜和氮化膜或氧化膜和聚膜的晶片時(shí)，對(duì)氧化膜：氮化膜或氧化膜：聚膜的拋光選擇比是10:1至40:1。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拋光料漿組合物，其特征為，利用所述拋光料漿組合物，拋光在模式晶片包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片時(shí)，對(duì)氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的拋光選擇比是1:1至5:1。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拋光料漿組合物，其特征為，利用所述拋光料漿組合物，拋光包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和聚膜的晶片之后，具有線路/空間基準(zhǔn)100μm/100μm以下模式密度的晶片的凹陷發(fā)生量是以下，具有線路/空間基準(zhǔn)300μm/300μm以上模式密度的晶片的凹陷發(fā)生量是以下。