[發明專利]用于半導體光刻工藝的保護膜設備

在審

• 申請號: 201611186679.3
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN107045264A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 李雨青;余青芳;林俊宏;許庭豪;張慶祥;秦圣基
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 張福根

技術領域

本發明實施例涉及一種光刻工藝的改善，特別涉及一種用于改良掩模-保護膜系統的系統和方法。

背景技術

在半導體集成電路(IC)工業中，集成電路材料及設計的技術進步產生了許多集成電路世代，其中每一世代具有比上一世代更小及更復雜的電路。在集成電路演進的過程，功能密度(即，每一芯片面積的互連裝置的數量)普遍地增加，然而幾何尺寸(即，生產工藝可以產生的最小的元件或線)則降低。持續降低的幾何尺寸的工藝通常通過增加生產效率和降低相關成本而提供益處。這種持續降低的幾何尺寸的工藝也會增加集成電路工藝的復雜度。因此，雖然現行的半導體裝置及其制造大致上滿足其預期的用途，但并非在各層面都令人滿意。

發明內容

依據本發明一些實施例，提供一種用于半導體光刻工藝的保護膜設備。上述保護膜設備包括一保護薄膜、一保護膜框架以及一基板。保護膜框架附于上述保護薄膜，其中上述保護膜框架具有一表面，其定義至少一個凹槽。基板接觸上述保護膜框架的上述表面，使上述凹槽位于上述保護膜框架和上述基板之間。

依據本發明一些實施例，提供一種用于半導體光刻工藝的保護膜設備的制造方法。上述用于半導體光刻工藝的保護膜設備的制造方法包括形成一保護膜框架，其包括位于上述保護膜框架的一第一表面上的一凹槽；形成一保護薄膜；以及將上述保護薄膜附于上述保護膜框架的一第二表面，其中上述第二表面位于上述保護膜框架的包括上述凹槽的上述第一表面的相反位置。

依據本發明一些實施例，提供一種將保護膜設備用于半導體光刻工藝的 方法。上述將保護膜設備用于半導體光刻工藝的方法包括提供一保護膜設備，其中上述保護膜設備包括一薄膜和一保護膜框架，且其中上述保護膜框架包括附于上述薄膜的一第一表面和相反于包括一凹槽的上述第一表面的一第二表面；通過上述保護膜框架的上述第二表面耦接至一掩模的方式，將上述保護膜設備安裝于上述掩模上，使上述凹槽面向上述掩模，其中上述掩模包括一圖案化表面；將具有上述保護膜設備安裝于其上的上述掩模載入一光刻系統，且將一半導體晶片裝載于上述光刻系統的一基板臺上；以及進行一光刻曝光工藝，將上述圖案化表面的一圖案從上述掩模轉移至上述半導體晶片。

根據以下的詳細說明并配合附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，圖示并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

附圖說明

圖1為依據一些實施例的一光刻系統的一示意圖。

圖2為依據一些實施例的一掩模的一剖面圖。

圖3A、圖3B和圖3C分別為依據一些實施例的一掩模-保護膜系統的一頂視圖、一透視圖和沿切線A-A’的一剖面圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E和圖4F為依據一些實施例的一保護膜框架的截面圖。

圖5依據一些實施例的建構的一方法的一流程圖。

圖6依據一些實施例的建構的一方法的一流程圖。

其中，附圖標記說明如下：

100～光刻系統

102～輻射源

104～照明器

106～掩模臺

108～掩模

110～投影光學系統

112～光瞳相位調制器

114～投影光瞳面

116～半導體基板

118～基板臺

202～基板

203～背側涂層

204～多層結構

206～蓋層

208～吸收物

210～抗反射涂層

211～微粒

300～掩模-保護膜系統

302～掩模

304～保護膜框架

306～薄膜

306a、306b、306c、306d～柱

308、310～粘著材料層

312～內部空間

314～圖案化表面

401～表面

402、404～凹槽

402a、404a～圓心

406～對稱多邊形凹槽

408～非對稱曲線形凹槽

409～半長軸

410、412～傾斜橢圓形凹槽

411～第一部分

413～第二部分

414～粘著層

500、600～方法