[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611185410.3
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106654046B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供薄膜晶體管陣列基板(10)，在所述薄膜晶體管陣列基板(10)上形成間隔設(shè)置的數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)；

步驟2、在所述數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)與薄膜晶體管陣列基板(10)上形成像素定義層(30)，所述像素定義層(30)包括分別對(duì)應(yīng)于所述數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)的數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)(31)以及位于所述數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)(31)之間的非開(kāi)口區(qū)(32)；

步驟3、在所述像素定義層(30)的數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)(31)中分別形成設(shè)于數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)上的數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)；

步驟4、在所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)與像素定義層(30)上形成整面覆蓋所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)與像素定義層(30)的陰極(50)；

步驟5、在所述陰極(50)上形成薄膜封裝層(60)，所述薄膜封裝層(60)包括層疊且交替設(shè)置的多個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)與有機(jī)物層(62)，其中，每個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)的遠(yuǎn)離所述OLED發(fā)光層(40)一側(cè)的表面上對(duì)應(yīng)于所述像素定義層(30)的非開(kāi)口區(qū)(32)的區(qū)域具有漫反射粗糙度；

所述步驟5中，在形成每個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)后，采用掩膜板(70)對(duì)每個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)進(jìn)行等離子體轟擊處理，所述掩膜板(70)上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述像素定義層(30)的非開(kāi)口區(qū)(32)的開(kāi)孔(71)，每個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)的遠(yuǎn)離所述OLED發(fā)光層(40)一側(cè)的表面上對(duì)應(yīng)所述掩膜板(70)的開(kāi)孔(71)的區(qū)域經(jīng)過(guò)等離子體轟擊處理后，形成漫反射粗糙度。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，所述等離子體為三氟化氮。

3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，所述薄膜封裝層(60)中，與所述陰極(50)接觸的結(jié)構(gòu)層以及最外側(cè)的結(jié)構(gòu)層均為無(wú)機(jī)物層(61)。

4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，所述陽(yáng)極(20)為反射電極，所述陰極(50)為半透明電極。

5.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

薄膜晶體管陣列基板(10)；

設(shè)于所述薄膜晶體管陣列基板(10)上且間隔設(shè)置的數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)；

設(shè)于所述數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)與薄膜晶體管陣列基板(10)上的像素定義層(30)，所述像素定義層(30)包括分別對(duì)應(yīng)于所述數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)的數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)(31)以及位于所述數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)(31)之間的非開(kāi)口區(qū)(32)；

設(shè)于所述像素定義層(30)的數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)(31)中且分別設(shè)于所述數(shù)個(gè)陽(yáng)極(20)上的數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)；

設(shè)于所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)與像素定義層(30)上且整面覆蓋所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)與像素定義層(30)的陰極(50)；

設(shè)于所述陰極(50)上的薄膜封裝層(60)，所述薄膜封裝層(60)包括層疊且交替設(shè)置的多個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)與有機(jī)物層(62)，其中，每個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)的遠(yuǎn)離所述OLED發(fā)光層(40)一側(cè)的表面上對(duì)應(yīng)于所述像素定義層(30)的非開(kāi)口區(qū)(32)的區(qū)域具有漫反射粗糙度；

所述薄膜封裝層(60)中，每個(gè)無(wú)機(jī)物層(61)的遠(yuǎn)離所述OLED發(fā)光層(40)一側(cè)的表面上對(duì)應(yīng)于所述像素定義層(30)的非開(kāi)口區(qū)(32)的區(qū)域的漫反射粗糙度通過(guò)等離子體轟擊處理獲得。

6.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述等離子體為三氟化氮。

7.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述薄膜封裝層(60)中，與所述陰極(50)接觸的結(jié)構(gòu)層以及最外側(cè)的結(jié)構(gòu)層均為無(wú)機(jī)物層(61)。

8.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述陽(yáng)極(20)為反射電極，所述陰極(50)為半透明電極。