[發明專利]通過干法球磨過篩提高ITO粉末松裝密度和振實密度的方法

有效

• 申請號: 201611184943.X
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106824404B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 張紅梅;左寧偉;馬建保;方煕成;張淑琴;徐軍偉;周帆;征衛星
• 申請（專利權）人: 寧夏中色新材料有限公司
• 主分類號: B02C17/10
• 分類號: B02C17/10;B02C25/00
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所 64103
• 代理人: 郭立寧;夏峰

一種通過干法球磨過篩提高ITO粉末松裝密度和振實密度的方法，屬于粉末冶金技術領域。此方法包括：將ITO粉末放入裝有一定量氧化鋯球的容器中進行干法球磨過篩，得到的ITO粉末松裝密度和振實密度將有明顯提高。此方法處理得到的ITO粉完全適用并有利于模壓和等靜壓制成素坯，在壓制過程中將有效減少ITO素坯斷裂、掉邊等情況，提高ITO靶材成品率和密度，完全滿足目前制備高密度ITO燒結體之需要。

技術領域

本發明屬于粉末冶金技術領域，特別涉及一種通過干法球磨過篩提高ITO粉末松裝密度和振實密度的方法。

背景技術

摻錫氧化銦（IndiumTinOxide），一般簡稱為ITO， ITO薄膜是一種n型半導體材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性，因此，它是液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、電致發光顯示器（EL/OLED）、觸摸屏（TouchPanel）、太陽能電池以及其他電子儀表的透明電極最常用的薄膜材料，ITO靶材是制備ITO導電薄膜的原料，目前ITO靶的生產主要通過燒結法制備。

ITO粉是制備ITO靶材的原料，ITO粉末經過處理、壓制或模鑄、等靜壓制成素坯，燒結最終得到ITO靶材。

ITO粉末的松裝密度和振實密度直接影響后續的壓制工藝，如松裝密度過小將導致壓制的素坯強度不足，或掉邊掉角現象嚴重，進而影響到最終的靶材質量，在目前已公開的技術中，處理的ITO粉末松裝密度和振實密度無法有效提高或存在其它問題，中國專利申請CN104148159A公開了一種利用球磨機精確控制一次粉松裝密度的方法，但此方法較為復雜，輔助設備和工序較多，生產成本高，不利于規模化生產。

發明內容

本發明的目的是針對現有的利用球磨機控制一次粉松裝密度方法的不足之處，提供一種通過干法球磨過篩提高ITO粉末松裝密度和振實密度的方法。

為實現上述目的，本發明的技術方案為：一種通過干法球磨過篩提高ITO粉末松裝密度和振實密度的方法，將ITO粉末放入裝有定量氧化鋯球的容器中進行干法球磨過篩，得到的ITO粉末松裝密度和振實密度明顯提高。

該方法的具體步驟如下：

1. 定量稱取ITO粉末放入干凈容器中；

2.按粉末質量計算所需氧化鋯球重量和比例；

3.設定時間干法球磨并過篩；

4.取樣測定松裝密度振實密度。

本發明的優點是：

通過此發明制造出的ITO粉末，其松裝密度和振實密度均有明顯提高，此方法處理得到的ITO粉完全適用并有利于模壓和等靜壓制成素坯，在壓制過程中將有效減少ITO素坯斷裂、掉邊等情況，提高ITO靶材成品率和密度，完全滿足目前制備高密度ITO燒結體之需要，且設備和工序簡單，易于操作。

具體實施方式

本發明的具體實施方式通過實施例做進一步說明。

實施例1：通過干法球磨過篩，提高銦錫比例(In₂O₃ : SnO₂) wt%=90：10的ITO粉末的松裝密度和振實密度，具體步驟為：

1.原始ITO粉末松裝密度為0.6 g/cm³，振實密度為1.25 g/cm³；

2.取ITO粉末3kg裝入容器中；

3.稱取氧化鋯球4.5kg；

4.設定干法球磨時間1小時；