[發(fā)明專利]用于制備全息天線的臺狀有源區(qū)固態(tài)等離子二極管制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611184779.2
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN107046163A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹曉雪;張亮
• 申請（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868
• 代理公司: 西安智萃知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司61221
• 代理人: 劉長春

1.一種用于制備全息天線的臺狀有源區(qū)固態(tài)等離子二極管制造方法，其特征在于，所述固態(tài)等離子二極管用于制作全息天線，所述全息天線包括：半導(dǎo)體基片(11)、天線模塊(13)、第一全息圓環(huán)(15)及第二全息圓環(huán)(17)；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均采用半導(dǎo)體工藝制作于所述半導(dǎo)體基片(11)上；其中，所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均包括依次串接的固態(tài)等離子二極管串。

所述制造方法包括步驟：

(a)選取SOI襯底；

(b)利用CVD工藝，在所述SOI襯底表面形成第一保護(hù)層；

(c)采用第一掩膜版，利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成有源區(qū)圖形；

(d)利用干法刻蝕工藝，對所述有源區(qū)圖形的指定位置四周刻蝕所述第一保護(hù)層及所述SOI襯底的頂層Si層從而形成有所述臺狀有源區(qū)；

(e)對所述臺狀有源區(qū)四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區(qū)和N區(qū)；

(f)在所述臺狀有源區(qū)四周淀積多晶Si材料；

(g)在所述多晶Si材料表面制作引線并光刻PAD以形成所述固態(tài)等離子二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(d)之后，還包括：

(x1)利用氧化工藝，對所述臺狀有源區(qū)的側(cè)壁進(jìn)行氧化以在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁形成氧化層；

(x2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述氧化層以完成對所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁的平整化處理。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(e)包括：

(e1)在整個襯底表面淀積第二保護(hù)層；

(e2)采用第二掩膜板，利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層表面形成P區(qū)圖形；

(e3)利用濕法刻蝕工藝去除P區(qū)圖形上的所述第二保護(hù)層；

(e4)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積P型Si材料形成所述P區(qū)；

(e5)在整個襯底表面淀積第三保護(hù)層；

(e6)采用第三掩膜板，利用光刻工藝在所述第三保護(hù)層表面形成N區(qū)圖形；

(e7)利用濕法刻蝕工藝去除N區(qū)圖形上的所述第三保護(hù)層；

(e8)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積N型Si材料形成所述N區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，步驟(e4)包括：

(e41)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積P型Si材料；

(e42)采用第四掩膜版，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述P型Si材料以在所述臺狀有源區(qū)的側(cè)壁形成所述P區(qū)；

(e43)利用選擇性刻蝕工藝去除整個襯底表面的所述第二保護(hù)層。

5.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，步驟(e8)包括：

(e81)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積N型Si材料；

(e82)采用第五掩膜版，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述N型Si材料以在所述臺狀有源區(qū)的另一側(cè)壁形成所述N區(qū)；

(e83)利用選擇性刻蝕工藝去除整個襯底表面的所述第三保護(hù)層。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(f)包括：

(f1)利用CVD工藝，在所述臺狀有源區(qū)四周淀積所述多晶Si材料；

(f2)利用CVD工藝，在整個襯底表面淀積第四保護(hù)層；

(f3)利用退火工藝激活所述P區(qū)和所述N區(qū)中的雜質(zhì)。

7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，步驟(g)包括：

(g1)采用第六掩膜版，利用光刻工藝在所述第四保護(hù)層表面形成引線孔圖形；

(g2)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第四保護(hù)層漏出部分所述多晶Si材料以形成所述引線孔；

(g3)對所述引線孔濺射金屬材料以形成金屬硅化物；

(g4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述固態(tài)等離子二極管。