[發(fā)明專利]一種熱插拔供電裝置、方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611184609.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN106598189B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅嗣恒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F1/26
• 分類號(hào): G06F1/26;G06F13/40
• 代理公司: 37100 濟(jì)南信達(dá)專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 李世喆

本發(fā)明提供了一種熱插拔供電裝置、方法及系統(tǒng)。該裝置包括:至少一個(gè)熱插拔模塊和至少一個(gè)熱插拔控制模塊；至少一個(gè)熱插拔模塊和至少一個(gè)熱插拔控制模塊一一對(duì)應(yīng)相連；每一個(gè)熱插拔模塊分別與外部的電源背板、一個(gè)外部的組件以及一個(gè)熱插拔控制模塊相連，用于利用外部的電源背板提供的供電電壓為連接的外部的組件供電；每一個(gè)熱插拔控制模塊，用于當(dāng)檢測(cè)到連接的熱插拔模塊的當(dāng)前供電電壓不位于設(shè)定的電壓閾值區(qū)間時(shí)，調(diào)控當(dāng)前供電電壓，并實(shí)時(shí)記錄調(diào)控時(shí)長(zhǎng)，當(dāng)調(diào)控時(shí)長(zhǎng)達(dá)到預(yù)先設(shè)定的時(shí)長(zhǎng)閾值時(shí)，檢測(cè)到連接的熱插拔模塊的當(dāng)前供電電壓不位于設(shè)定的電壓閾值區(qū)間，控制連接的熱插拔模塊停止供電。本發(fā)明提供的方案能夠有效的降低電壓損耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種熱插拔供電裝置、方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

熱插拔一般是指在不關(guān)閉系統(tǒng)、不切斷電源的情況下，允許取出和更換硬盤、電源或板卡等部件的技術(shù)，因此被廣泛的應(yīng)用于服務(wù)器等電子產(chǎn)品中，而保持為電子產(chǎn)品中的待機(jī)狀態(tài)組件供電是實(shí)現(xiàn)熱插拔的關(guān)鍵之一。

目前，為了實(shí)現(xiàn)為電子產(chǎn)品中的待機(jī)狀態(tài)組件供電，常常設(shè)置一組熱插拔線路以及待機(jī)線路，并將待機(jī)線路連接電子產(chǎn)品中的各個(gè)組件，通過(guò)這一組熱插拔線路持續(xù)地、同時(shí)為電子產(chǎn)品中的待機(jī)線路和開機(jī)線路供電。

無(wú)論待機(jī)線路和開機(jī)線路是否都在工作，現(xiàn)有的熱插拔線路都要提供能夠滿足待機(jī)線路和開機(jī)線路工作需要的電壓。因此，現(xiàn)有熱插拔供電方式，電壓損耗較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種熱插拔供電裝置、方法及系統(tǒng)，能夠有效的降低電壓損耗。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種熱插拔供電裝置，該裝置包括：至少一個(gè)熱插拔模塊和至少一個(gè)熱插拔控制模塊；其中，所述至少一個(gè)熱插拔模塊和至少一個(gè)熱插拔控制模塊一一對(duì)應(yīng)相連；

每一個(gè)所述熱插拔模塊，分別與外部的電源背板、一個(gè)外部的組件以及一個(gè)所述熱插拔控制模塊相連，用于利用所述外部的電源背板提供的供電電壓為連接的所述外部的組件供電；

每一個(gè)所述熱插拔控制模塊，用于當(dāng)檢測(cè)到連接的所述熱插拔模塊的當(dāng)前供電電壓不位于設(shè)定的電壓閾值區(qū)間時(shí)，調(diào)控所述當(dāng)前供電電壓，并實(shí)時(shí)記錄調(diào)控時(shí)長(zhǎng)，當(dāng)調(diào)控時(shí)長(zhǎng)達(dá)到預(yù)先設(shè)定的時(shí)長(zhǎng)閾值時(shí)，檢測(cè)到連接的所述熱插拔模塊的當(dāng)前供電電壓不位于所述設(shè)定的電壓閾值區(qū)間，控制連接的所述熱插拔模塊停止供電。

優(yōu)選地，所述每一個(gè)所述熱插拔模塊，包括：至少一個(gè)電阻和至少一個(gè)MOS管，其中，所述電阻和所述MOS管一一對(duì)應(yīng)相連；

每一個(gè)所述電阻的第一端分別與所述外部的電源背板和對(duì)應(yīng)的所述熱插拔控制模塊相連，所述電阻的第二端分別與對(duì)應(yīng)的所述MOS管的漏極和所述熱插拔控制模塊相連；

每一個(gè)所述MOS管的源極與一個(gè)外部的組件相連，柵極與對(duì)應(yīng)的所述熱插拔控制模塊相連；

所述熱插拔控制模塊，用于當(dāng)調(diào)控時(shí)長(zhǎng)達(dá)到所述預(yù)先設(shè)定的時(shí)長(zhǎng)閾值時(shí)，檢測(cè)到連接的所述熱插拔模塊的當(dāng)前供電電壓不位于所述設(shè)定的電壓閾值區(qū)間，控制連接的所述MOS管的源極與漏極不導(dǎo)通。

優(yōu)選地，所述每一個(gè)所述熱插拔控制模塊，包括：運(yùn)算放大器、比較器和控制子模塊；其中，

所述運(yùn)算放大器，分別與每一個(gè)所述電阻的第一端、每一個(gè)所述電阻的第二端以及所述比較器相連，用于采集流經(jīng)每一個(gè)所述電阻的當(dāng)前電流產(chǎn)生的電壓降，利用下述計(jì)算公式計(jì)算每一個(gè)所述電壓降對(duì)應(yīng)的放大電壓，將所述放大電壓發(fā)送給所述比較器；

V_i＝kV_i0

其中，所述V_i表征電阻i產(chǎn)生的電壓降對(duì)應(yīng)的放大電壓；所述V_i0表征電阻i產(chǎn)生的電壓降；所述k表征放大系數(shù)；