[發明專利]GOA電路結構

在審

• 申請號: 201611184559.X
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106773384A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 王剛;陳黎暄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1345
• 分類號: G02F1/1345;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種GOA電路結構，其特征在于，包括：柔性基板(1)、設于所述柔性基板(1)正面的第一TFT層(2)、設于所述柔性基板(1)背面的第二TFT層(3)、以及分別穿過設于柔性基板(1)的多個過孔(4)分別電性連接所述第一TFT層(2)與所述第二TFT層(3)的多條走線(5)。

2.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述柔性基板(1)的材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環烯烴共聚物、或者聚醚砜樹脂。

3.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述柔性基板(1)的厚度為10至300微米。

4.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述第一TFT層(2)與第二TFT層(3)均包括至少一個TFT，每一個TFT均包括設于所述柔性基板(1)上的柵極(21)、覆蓋所述柵極(21)的柵極絕緣層(22)、設于所述柵極(21)上的柵極絕緣層(22)上的半導體層(23)、以及設于柵極絕緣層(22)上的分別與所述半導體層(23)的兩端相接觸的源極(24)與漏極(25)。

5.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述過孔(4)與所述走線(5)的數量一一對應，每一個過孔(4)中設有一條走線(5)。

6.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，每一個過孔(4)設有至少兩條走線(5)，同一個過孔(4)中的各條走線(5)通過絕緣層分隔。

7.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述第二TFT層(3)以及設于所述柔性基板(1)背面的走線(5)上還覆蓋有保護層。

8.如權利要求7所述的GOA電路結構，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅。

9.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述多個過孔(4)通過激光打孔工藝、或化學腐蝕工藝制作。

10.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述走線(5)的材料為銅、或石墨烯。