[發明專利]用于U波段可重構環形天線的SPIN二極管的制造方法在審

申請號：	201611184384.2	申請日：	2016-12-20
公開（公告）號：	CN106816683A	公開（公告）日：	2017-06-09
發明（設計）人：	尹曉雪;張亮	申請（專利權）人：	西安科銳盛創新科技有限公司
主分類號：	H01Q1/22	分類號：	H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868;H01Q7/00
代理公司：	西安智萃知識產權代理有限公司61221	代理人：	劉長春
地址：	710065 陜西省西安市高新區高新路86號***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于波段可重構環形天線 spin 二極管制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明屬于固態等離子體和微帶天線技術領域，具體涉及一種用于U波段可重構環形天線的SPIN二極管的制造方法。

背景技術

隨著科學技術的進一步發展，無線通信技術在人們的生活中發揮著越來越重要的作用。無線通信利用無線電波進行工作，而無線電波的接收和發送靠天線完成，天線的性能直接影響整個無線通信系統。

隨著無線系統向大容量、多功能、多頻段/超寬帶方向的發展，不同通信系統相互融合，使得在同一平臺上搭載的信息子系統數量增加，天線數量也相應增加，但天線數量的增加對通信系統的電磁兼容性、成本、重量等方面有較大的負面影響。因此，無線通信系統要求天線能根據實際使用環境來改變其電特性，即實現天線特性的“可重構”。可重構天線具有多個天線的功能，減少了系統中天線的數量。其中，可重構微帶天線因其體積較小，剖面低等優點受到可重構天線研究領域的關注。

目前的頻率可重構微帶天線的各部分有互耦影響，頻率跳變慢，饋源結構復雜，隱身性能不佳，剖面高，制造、加工的難度高。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提供了一種用于U波段可重構環形天線的SPIN二極管的制造方法，其中，環形天線包括：半導體基片(1)；介質板(2)；第一SPIN二極管環(3)、第二SPIN二極管環(4)、第一直流偏置線(5)及第二直流偏置線(6)，均設置于半導體基片(1)上；耦合式饋源(7)，設置于介質板(2)上；

其中，所述可重構環形天線的SPIN二極管的制造方法包括如下步驟：

選擇SOI襯底(101)；

刻蝕SOI襯底(101)形成隔離槽，填充隔離槽形成隔離區(301)；

刻蝕SOI襯底(101)形成P區深槽(501)和N區深槽(502)；

在P區深槽(501)及N區深槽(502)內采用離子注入的方式形成P+有源區(601)和N+有源區(602)；

在SOI襯底(101)上生成引線。

在本發明提供的一種用于U波段可重構環形天線的SPIN二極管的制造方法中，刻蝕SOI襯底(101)形成隔離槽，包括：

在SOI襯底(101)表面形成第一保護層；

利用光刻工藝在第一保護層上形成第一隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在第一隔離區圖形的指定位置處刻蝕第一保護層及SOI襯底(101)以形成隔離槽。

在本發明提供的一種用于U波段可重構環形天線的SPIN二極管的制造方法中，包括：

采用CVD的方法在SOI襯底(101)上連續生長兩層材料，其中，第一層為SiO2層(201)，第二層為SiN層(202)。