[發明專利]用于套筒天線具有臺狀有源區的pin二極管串的制備方法

有效

• 申請號: 201611184383.8
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106847902B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 左瑜;張亮
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q7/00;H01Q1/38
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種用于套筒天線具有臺狀有源區的pin二極管串的制備方法，其特 征在于，包括：所述pin二極管串用于制作套筒天線，所述套筒天線包括：

半導體基片(1)、pin二極管天線臂(2)、第一pin二極管套筒(3)、第二pin二極管套筒(4)、同軸饋線(5)、直流偏置線(9、10、11、12、13、14、15、16、 17、18、19)；其中，所述pin二極管天線臂(2)、所述第一pin二極管套筒(3)、 所述第二pin二極管套筒(4)及所述直流偏置線(9、10、11、12、13、14、15、 16、17、18、19)均制作于所述半導體基片(1)上；所述pin二極管天線臂(2) 與所述第一pin二極管套筒(3)及所述第二pin二極管套筒(4)通過所述同軸饋線(5)連接，所述同軸饋線(5)的內芯線(7)連接所述pin二極管天線臂(2)且所 述同軸饋線(5)的外導體(8)連接所述第一pin二極管套筒(3)及所述第二pin 二極管套筒(4)；其中，所述pin二極管天線臂(2)包括串行連接的pin二 極管串(w1、w2、w3)，所述第一pin二極管套筒(3)包括串行連接的pin 二極管串(w4、w5、w6)，所述第二pin二極管套筒(4)包括串行連接的pin二極管串(w7、w8、w9)，每個所述pin二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、 w6、w7、w8、w9)通過對應的所述直流偏置線(9、10、11、12、13、14、 15、16、17、18、19)連接至直流偏置；

所述pin二極管串的制備方法包括步驟：

(a)選取SOI襯底；

(b)利用CVD工藝，在所述SOI襯底表面形成第一保護層；

(c)采用第一掩膜版，利用光刻工藝在所述第一保護層上形成有源區圖形；

(d)利用干法刻蝕工藝，對所述有源區圖形的指定位置四周刻蝕所述第一保護層及所述SOI襯底的頂層Si層從而形成所述臺狀有源區；

(e)對所述臺狀有源區四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N 型Si材料形成P區和N區；

(f)在所述臺狀有源區四周淀積多晶Si材料；

(g)在所述多晶Si材料表面制作引線、光刻PAD并互連，以形成所述pin二極管串；

其中，步驟(e)包括：

(e1)在整個襯底表面淀積第二保護層；

(e2)采用第二掩膜板，利用光刻工藝在所述第二保護層表面形成P區圖形；

(e3)利用濕法刻蝕工藝去除P區圖形上的所述第二保護層，其中，剩余部分的所述第二保護層覆蓋所述第一保護層、所述臺狀有源區的左側壁和底壁的左邊部分；

(e4)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區側壁淀積P型Si材料，所述P型Si材料覆蓋所述臺狀有源區的右側壁和所述底壁的右邊部分；

(e5)利用干法刻蝕工藝使所述P區表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除剩余所述第二保護層形成所述P區；

(e6)在整個襯底表面淀積第三保護層；

(e7)采用第三掩膜板，利用光刻工藝在所述第三保護層表面形成N區圖形；

(e8)利用濕法刻蝕工藝去除N區圖形上的所述第三保護層，其中，剩余 部分的所述第三保護層覆蓋所述第一保護層、所述P區的側壁和所述臺狀 有源區底壁的右邊部分；

(e9)利用干法刻蝕工藝使所述N區表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除剩余第三保護層形成所述N區。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(d)之后，還包括：

(x1)利用氧化工藝，對所述臺狀有源區的側壁進行氧化以在所述臺狀有源區側壁形成氧化層；

(x2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述氧化層以完成對所述臺狀有源區側壁 的平整化處理。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(f)包括：

(f1)利用CVD工藝，在所述臺狀有源區四周淀積所述多晶Si材料；

(f2)利用CVD工藝，在整個襯底表面淀積第四保護層；

(f3)利用退火工藝激活所述P區和所述N區中的雜質。