[發明專利]引線接合方法及引線接合結構在審
| 申請號： | 201611184103.3 | 申請日： | 2016-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN107768262A | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 林柏均 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279 | 代理人： | 王正茂,叢芳 |
| 地址： | 中國臺灣桃園市龜山*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 引線 接合 方法 結構 | ||
1.一種引線接合方法，其特征在于，包含：
在金屬線的一端形成焊球；
將所述焊球按壓至工件的平面上以使所述焊球變形；
使變形的所述焊球接觸金屬墊，其中所述金屬墊由第一材料制成且所述金屬線由第二材料制成，并且所述第一材料的硬度小于所述第二材料的硬度；以及
將變形的所述焊球接合至所述金屬墊上。
2.如權利要求1所述的引線接合方法，其特征在于，所述使變形的所述焊球接觸所述金屬墊是通過施加力量而執行。
3.如權利要求2所述的引線接合方法，其特征在于，所述使變形的所述焊球接觸所述金屬墊以及所述將變形的所述焊球接合至所述金屬墊上實質上同時執行。
4.如權利要求2所述的引線接合方法，其特征在于，所述將所述焊球按壓至所述平面上所施加的力量，大于所述使變形的所述焊球接觸所述金屬墊所施加的力量。
5.如權利要求1所述的引線接合方法，其特征在于，所述將所述焊球按壓至所述平面上是在所述焊球上形成對應所述平面的平坦接觸面。
6.如權利要求5所述的引線接合方法，其特征在于，所述將變形的所述焊球接合至所述金屬墊上包含將所述平坦接觸面接合至所述金屬墊上。
7.如權利要求1所述的引線接合方法，其特征在于，所述將變形的所述焊球接合至所述金屬墊上是在變形的所述焊球與所述金屬墊之間的接觸界面形成金屬間化合物。
8.如權利要求1所述的引線接合方法，其特征在于，所述將變形的所述焊球接合至所述金屬墊上是通過對變形的所述焊球與所述金屬墊之間的所述接觸界面施加超聲波能量而執行。
9.一種引線接合結構，其特征在于，包含：
金屬墊，由第一材料制成；以及
變形的焊球，由金屬線制成，所述金屬線具有平坦接觸面與所述金屬墊相接合，其中所述金屬線具有第二材料，并且所述第一材料的硬度小于所述第二材料的硬度，
其中所述平坦接觸面陷入所述金屬墊達一定深度，并且所述深度相對于所述金屬墊的厚度的比值小于0.5。
10.如權利要求9所述的引線接合結構，其特征在于，所述第一材料為鋁。
11.如權利要求9所述的引線接合結構，其特征在于，所述第二材料為銅或銅合金。
12.如權利要求11所述的引線接合結構，其特征在于，銅合金包含銅、鈀以及金。
13.如權利要求9所述的引線接合結構，其特征在于，金屬間化合物形成于所述平坦接觸面與所述金屬墊之間的接觸界面。
14.如權利要求9所述的引線接合結構，其特征在于，還包含基板，其中所述金屬墊設置在所述基板上。
15.如權利要求14所述的引線接合結構，其特征在于，所述基板為硅基板或氧化基板。
16.如權利要求9所述的引線接合結構，其特征在于，所述金屬墊的所述厚度的范圍實質上為0.01微米至6微米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
