[發(fā)明專(zhuān)利]可重構(gòu)全息天線中的固態(tài)等離子pin二極管的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611183921.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106816682A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹曉雪;張亮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q1/22
• 分類(lèi)號(hào): H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868
• 代理公司: 西安智萃知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司61221
• 代理人: 劉長(zhǎng)春

1.一種可重構(gòu)全息天線中的固態(tài)等離子pin二極管的制備方法，其特征在于，所述固態(tài)等離子pin二極管用于制作可重構(gòu)全息天線，所述可重構(gòu)全息天線包括：SOI半導(dǎo)體基片(1)；制作在所述SOI半導(dǎo)體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)及全息圓環(huán)(14)；其中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)包括分布在所述同軸饋線(4)兩側(cè)且等長(zhǎng)的固態(tài)等離子pin二極管串，所述全息圓環(huán)(14)包括多個(gè)固態(tài)等離子pin二極管串(w7)，所述固態(tài)等離子pin二極管的制備方法包括如下步驟：

(a)選取SOI襯底；

(b)在所述SOI襯底表面形成第一保護(hù)層；

(c)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(d)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述SOI襯底以形成所述隔離槽；

(e)在所述SOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(f)利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(g)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述SOI襯底以形成所述P型溝槽和N型溝槽；

(h)在所述P型溝槽和N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；

(i)在所述SOI襯底上生成二氧化硅；

(j)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì)；

(k)在P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線；

(l)鈍化處理并光刻PAD以形成所述固態(tài)等離子pin二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層包括第一二氧化硅層和第一氮化硅層；相應(yīng)地，步驟(b)包括：

(b1)在所述SOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；

(b2)在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層包括第二二氧化硅層和第二氮化硅層；相應(yīng)地，步驟(e)包括：

(e1)在所述SOI襯底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅層；

(e2)在所述第二二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第二氮化硅層。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述P型溝槽和N型溝槽的底部距所述SOI襯底的頂層硅底部的距離為0.5微米～30微米。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(h)包括：

(h1)平整化所述P型溝槽和N型溝槽；

(h2)對(duì)所述P型溝槽和N型溝槽進(jìn)行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域；

(h3)填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P型接觸和N型接觸，其中，填充所述P型溝槽和N型溝槽的材料為多晶硅、金屬、重?fù)诫s多晶硅鍺或重?fù)诫s硅；

(h4)對(duì)所述P型接觸和N型接觸所在區(qū)域進(jìn)行離子注入以在所述SOI襯底的頂層硅內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟(h1)包括：

(h11)氧化所述P型溝槽和N型溝槽以使所述P型溝槽和N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(h12)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和N型溝槽內(nèi)壁的平整化。

7.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，對(duì)所述P型溝槽和N型溝槽進(jìn)行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)，包括：

(h21)光刻所述P型溝槽和N型溝槽；

(h22)采用帶膠離子注入的方法對(duì)所述P型溝槽和N型溝槽分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；

(h23)去除光刻膠。