[發(fā)明專利]一種砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611183846.9
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106816495A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周昊;張慶猛;唐群;楊志民
• 申請（專利權(quán)）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/08;H01L31/0224
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11246
• 代理人: 陳波

1.一種砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)清洗砷化鎵表面；

(2)在砷化鎵表面涂覆一層光刻膠；

(3)烘烤加熱固化光刻膠；

(4)冷卻后進行曝光，接著進行曝光后顯影前的烘烤；

(5)冷卻后進行顯影，剝離需要鍍膜位置的光刻膠；

(6)鍍膜作為電極；

(7)進行解膠處理，去掉掩膜位置的光刻膠；

(8)用劃片機劃取所需尺寸的晶片；

(9)清洗后進行去應(yīng)力退火處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，均勻涂覆光刻膠層的厚度為1μm～5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(3)和步驟(4)中所述的烘烤分別為，將砷化鎵放入接觸式加熱板，70℃～100℃恒溫保持1min～4min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(6)為，采用磁控濺射技術(shù)鍍Ti/Ni/Au膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(9)中，去應(yīng)力退火處理在快速退火爐中進行，去應(yīng)力退火的溫度為200～450℃，保溫時間為60s～300s。