[發明專利]一種單片集成距離傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 201611183643.X
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN108231744B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 李成;陳龍;袁理
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L25/16;H01L31/0232;H01L31/173;H01L31/18;G01S17/48
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種單片集成距離傳感器，該單片集成距離傳感器包括：

襯底；

光發射器，其形成于所述襯底，用于發射預定波段的光；

光接收器，其形成于所述襯底，用于接收由外界反射的所述預定波段的光，并產生與接收到的光的強度對應的電信號；

金屬電極，其設置于所述襯底表面，與所述光發射器和所述光接收器中的至少一者電連接，所述金屬電極位于所述光發射器和所述光接收器之間；以及

金屬屏蔽層，其設置于所述光發射器和所述光接收器的表面之外,

其中，

所述襯底表面形成有隔離凹槽，所述隔離凹槽具有位于所述光接收器和所述光發射器之間的部分，

所述隔離凹槽的內壁上形成有非金屬屏蔽層。

2.如權利要求1所述的單片集成距離傳感器，其中，

所述金屬電極的表面設置有非金屬屏蔽層，所述非金屬屏蔽層的表面設置有所述金屬屏蔽層。

3.如權利要求2所述的單片集成距離傳感器，其中，

所述金屬電極包括第一金屬電極和第二金屬電極，其中，所述第一金屬電極與所述光接收器電連接，所述第二金屬電極與所述光發射器電連接。

4.如權利要求1所述的單片集成距離傳感器，其中，

所述隔離凹槽的靠近所述光發射器的壁上形成有下層金屬屏蔽層，在所述下層金屬屏蔽層上形成有所述非金屬屏蔽層，在所述非金屬屏蔽層的表面形成有上層金屬屏蔽層。

5.如權利要求1所述的單片集成距離傳感器，其中，

所述隔離凹槽位于所述光發射器四周。

6.如權利要求1所述的單片集成距離傳感器，其中，

所述光發射器與所述光接收器之間的距離大于或等于所述預定波段的光在所述襯底中衰減的距離。

7.一種單片集成距離傳感器的制造方法，該方法包括：

在襯底中形成光接收器；

在所述襯底中形成光發射器；-

在所述襯底表面形成金屬電極，所述金屬電極與所述光發射器和所述光接收器中的至少一者電連接，并且所述金屬電極位于所述光發射器和所述光接收器之間；以及

金屬屏蔽層，其設置于所述光發射器和所述光接收器的表面之外。

8.如權利要求7所述的制造方法，其中，該方法還包括：

在所述襯底表面形成隔離凹槽，所述隔離凹槽位于所述光接收器和所述光發射器之間。