[發(fā)明專利]一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611183338.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106712854B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃釗;張博;胡毅;馬衛(wèi)東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢光迅科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B10/50 | 分類號(hào): | H04B10/50 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11340 | 代理人: | 楊文錄 |
| 地址: | 430205 湖北省*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mzi 外調(diào) 任意 工作 鎖定 方法 裝置 | ||
1.一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟1、初始化使MZI外調(diào)制器處在最佳工作狀態(tài);
步驟2、給MZI外調(diào)制器偏置電壓上疊加頻率f1的方波串?dāng)_,讀取反饋方波的幅度A0和相位;
步驟3、將頻率f2的方波串?dāng)_和頻率f1的方波串?dāng)_通過加法器相加后疊加在MZI外調(diào)制器上,產(chǎn)生包含f1和f2頻率分量的總反饋方波,其中頻率f2遠(yuǎn)小于頻率f1;
步驟4、在總反饋方波中提取頻率f1的方波串?dāng)_導(dǎo)致光功率變化的波形作為一階反饋方波,提取一階反饋方波的幅值,頻率f2的方波串?dāng)_處在高電平時(shí),一階反饋方波幅值為Ah1,頻率f2的方波串?dāng)_處在低電平時(shí),一階反饋方波幅值為Al1,計(jì)算獲得一階反饋方波平均幅值A(chǔ)1=(Ah1+Al1)/2;比較一階反饋方波和f1串?dāng)_方波相位的同/反向關(guān)系,提取一階反饋方波的相位;將一階反饋方波幅度隨時(shí)間變化的波形做為二階反饋方波提取出來,比較二階反饋方波和頻率f2的方波串?dāng)_的同/反相關(guān)系的相位,提取二階反饋方波的相位;
步驟5、在一個(gè)電壓周期內(nèi)遍歷施加于MZI外調(diào)制器的偏置電壓,當(dāng)一階反饋方波的平均幅值A(chǔ)1與A0相同且相位相同時(shí),記錄該電壓值對(duì)應(yīng)的一組可能的工作點(diǎn)類型;然后通過監(jiān)控二階反饋方波的相位方向確定另一組可能的工作點(diǎn)類型;通過這兩組可能的工作點(diǎn)類型的交集確定滿足符合所述電壓值和相位方向條件的共同工作點(diǎn),鎖定該工作點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:所述二階反饋方波相位的提取方法為:比較二階反饋方波和頻率f2的方波串?dāng)_的同/反相關(guān)系;頻率f2的方波串?dāng)_處在高電平時(shí),二階反饋方波電平為Ah2;頻率f2的方波串?dāng)_處在低電平時(shí),二階反饋方波電平為Al2;當(dāng)Ah2大于Al2時(shí),二階反饋方波的相位為同向,當(dāng)Ah2小于Al2時(shí),二階反饋方波的相位為反向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:所述初始化過程為:給MZI外調(diào)制器施加射頻信號(hào)驅(qū)動(dòng),輔助采樣示波器觀察波形眼圖進(jìn)行判斷工作態(tài),手調(diào)偏置電壓直至達(dá)到最佳工作態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:所述步驟2中方波串?dāng)_速率不超過對(duì)MZI外調(diào)制器輸出光進(jìn)行監(jiān)控設(shè)置的背光探測(cè)器的帶寬范圍,串?dāng)_幅度不超過MZI外調(diào)制器偏置半波電壓的10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意之一所述一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:所述步驟2中采用f1=1KHz,幅度10mV的方波串?dāng)_。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:步驟4中提取的一階反饋方波的幅度、相位和二階反饋方波的相位,步驟5進(jìn)行偏置電壓的反饋調(diào)節(jié),實(shí)時(shí)鎖定工作點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種MZI外調(diào)制器任意工作點(diǎn)的鎖定方法,其特征在于:所述步驟5在電壓周期為0.54V~1.125V內(nèi)遍歷偏置電壓。
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