[發(fā)明專利]用于陶瓷外殼的無(wú)助焊劑倒裝焊方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611182070.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106847772B | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳波;丁榮崢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L23/488 | 分類號(hào): | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 32002 總裝工程兵科研一所專利服務(wù)中心 | 代理人: | 楊立秋 |
| 地址: | 214000*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 陶瓷 外殼 無(wú)助 焊劑 倒裝 方法 | ||
1.一種用于陶瓷外殼的無(wú)助焊劑倒裝焊方法,其特征在于,所述方法包括:
在陶瓷外殼的焊盤上添加焊球,將所述焊球壓平;
將倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述被壓平的焊球進(jìn)行預(yù)焊接;
還原所述倒裝芯片的凸點(diǎn)以及所述陶瓷外殼的被壓平的焊球表面的氧化物;
加熱使所述被壓平的焊球熔融并與所述陶瓷外殼的焊盤充分浸潤(rùn)、所述倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述陶瓷外殼的焊球充分熔融形成金屬間化合物,保持預(yù)定時(shí)長(zhǎng)后降至常溫,完成陶瓷外殼的無(wú)助焊劑倒裝焊;
其中,所述在陶瓷外殼的焊盤上添加焊球,包括:
將植球網(wǎng)板放置在所述陶瓷外殼設(shè)置有焊盤的一面,被放置后的所述植球網(wǎng)板的網(wǎng)孔與所述陶瓷外殼上的焊盤一一相對(duì),且相對(duì)的網(wǎng)孔與所述焊盤的直徑相同,所述植球網(wǎng)板的厚度與所述焊球的厚度相同;
向每個(gè)網(wǎng)孔中植入直徑與所述網(wǎng)孔對(duì)應(yīng)的焊球;
在所述將所述焊球壓平之前,所述方法還包括:
在所述陶瓷外殼未設(shè)置焊盤的一面加熱至所述焊球固液相溫度,移開所述植球網(wǎng)板;
停止加熱,在所述陶瓷外殼冷卻后,執(zhí)行所述將所述焊球壓平的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述將倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述被壓平的焊球進(jìn)行預(yù)焊接,包括:
將所述倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述被壓平的焊球?qū)?zhǔn)放置;
采用熱壓方式完成所述倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述被壓平的焊球的預(yù)焊接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述還原所述倒裝芯片的凸點(diǎn)以及所述陶瓷外殼的被壓平的焊球表面的氧化物,包括:
將預(yù)焊接后的所述倒裝芯片以及所述陶瓷外殼放置在密封回流爐中;
將所述密封回流爐的溫度升至預(yù)定溫度范圍,利用預(yù)定類型的氣體還原所述密封回流爐中的所述倒裝芯片的凸點(diǎn)以及所述陶瓷外殼的焊球表面的氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述預(yù)定類型的氣體為攜帶甲酸的氮?dú)猓鲱A(yù)定溫度范圍為150℃~ 200℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述加熱使所述被壓平的焊球熔融并與所述陶瓷外殼的焊盤充分浸潤(rùn)、所述倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述陶瓷外殼的焊球充分熔融形成金屬間化合物,包括:
對(duì)所述密封回流爐進(jìn)行升溫至所述凸點(diǎn)與所述被壓平的焊球液相溫度,使所述被壓平的焊球熔融并與所述陶瓷外殼的焊盤充分浸潤(rùn),使所述倒裝芯片的凸點(diǎn)與所述陶瓷外殼的焊球充分熔融形成金屬間化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的方法,其特征在于,所述焊球?yàn)榍蛐巍?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的方法,其特征在于,所述倒裝芯片的凸點(diǎn)為球形,或?yàn)榈撞繛榘肭蛐蔚闹w。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的方法,其特征在于,所述焊球材質(zhì)包括SnAg、SnAgCu或SnPb,所述倒裝芯片凸點(diǎn)材質(zhì)包括Cu+SnAg、SnAg、SnAgCu或SnPb。
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