[發(fā)明專利]基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611181480.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN106793219B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池上洋;尼古拉斯·巴錫爾;伊山·夏;李映芳;郭千紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 赫高餐飲設(shè)備(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): H03K5/14
• 分類號(hào): H03K5/14;H03K3/64;H05B6/06
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 馬維麗

本發(fā)明提供了基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)，包括：對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加延遲時(shí)間，當(dāng)延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間tsubgt;m/subgt;；根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間tsubgt;m/subgt;獲得最小極值Δtsubgt;0/subgt;和最大極值tsubgt;m0/subgt;；根據(jù)最小極值Δtsubgt;0/subgt;和最大極值tsubgt;m0/subgt;，使延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。本發(fā)明增加了單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的ZVS實(shí)現(xiàn)范圍，降低了成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及振蕩電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

單管感應(yīng)加熱是電磁爐中最常見的拓?fù)渲弧Ｍǔ＃瑔喂芨袘?yīng)加熱電路拓?fù)涑２捎糜?個(gè)集電極開路輸出的比較器和若干電容電阻組成的自激振蕩電路進(jìn)行峰值電流控制，如圖1所示。控制器只需給出一定占空比的脈沖，就能使得電路振蕩工作起來。因此，從控制上來看，其控制方式也相對(duì)簡(jiǎn)單。但是，其無法保證電路能工作在零電壓開通(ZeroVoltage?Switch，ZVS)，從而導(dǎo)致電容脈沖爬升速率(du/dt)大，IGBT(Insulated?GateBipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)損耗增大陷。在有些應(yīng)用中，采用軟件同步來替代該振蕩電路，但是該方法會(huì)占用更多的處理器資源，存在處理器跑飛時(shí)，可能導(dǎo)致IGBT燒毀等問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)，以增加單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的ZVS實(shí)現(xiàn)范圍，同時(shí)降低了成本。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，包括：

對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加固定延遲時(shí)間；

當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

根據(jù)所述第一閾值時(shí)間Δt和所述第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第一種可能的實(shí)施方式，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt，所述第二預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間小于所述第二閾值時(shí)間t_m，所述當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件包括：

當(dāng)所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt時(shí)，根據(jù)所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt和所述IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間小于所述第二閾值時(shí)間t_m；

其中，所述第一閾值時(shí)間Δt在第一時(shí)間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取，所述第二閾值時(shí)間t_m在所述第一時(shí)間段根據(jù)第二時(shí)刻感應(yīng)電流i_L(t₂)獲取。