[發明專利]一種背面電流阻擋層的LED芯片及制備方法無效
| 申請號： | 201611181453.4 | 申請日： | 2016-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108231959A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 陳康;劉琦;閆寶華;湯福國;李曉明 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 濟南日新專利代理事務所 37224 | 代理人： | 王書剛 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背面 外延層 制備 電流阻擋層 背金 蒸鍍 絕緣層 正面電極 光電轉換效率 背面減薄 背面設置 電流擴展 空洞區域 正面設置 阻擋層 電極 光刻 減薄 挖洞 合金 空洞 金屬 | ||
1.一種背面電流阻擋層的LED芯片，包括外延層，外延層的正面設置有電極，其特征是：外延層的背面設置有背金，外延層與背金之間設置有背面電流阻擋層，形成自上而下正面電極、外延層、背面阻擋層和背金的結構。
2.一種權利要求1所述背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：包括以下步驟：
（1）對外延層的背面減薄；
（2）在外延層的背面進行光刻，光刻出背面挖洞圖形，該背面挖洞圖形作為背面電流阻擋層所在的區域；
（3）對光刻出的背面圖形腐蝕挖洞，制備出背面空洞；
（4）在整個外延層背面制備絕緣層；
（5）對外延層的背面進行二次微減薄，磨掉背面空洞區域以外的絕緣層，背面空洞區域內的絕緣層作為背面電流阻擋層；
（6）在外延層的正面蒸鍍金屬；
（7）在外延層的正面光刻金屬電極圖形，金屬電極圖形與步驟（2）中的背面挖洞圖形的中心對準，制備出正面電極；
（8）在外延層的背面蒸鍍一層ITO；
（9）蒸鍍背金；
（10）合金。
3.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（1）中的減薄厚度100-300微米。
4.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（3）中的腐蝕時間為10s-300s。
5.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（3）中制備出的背面空洞的深度為0.1-2μm。
6.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（4）中的絕緣層厚度為1-5μm。
7.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（6）中蒸鍍金屬的厚度為1.5-3.5微米。
8.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（8）中ITO厚度為0.2-0.5微米。
9.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（10）中合金溫度300-500℃，合金時間5-30分鐘。
10.根據權利要求2所述的背面電流阻擋層的LED芯片的制備方法，其特征是：所述步驟（9）蒸鍍背金之后，腐蝕掉覆蓋在背面電流阻擋層上的背金。
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