[發(fā)明專利]基于高通量飛行時(shí)間質(zhì)譜儀的數(shù)據(jù)采集方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611181375.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN106783514A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王海燕;夏波涌;李麗萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王海燕
• 主分類號(hào): H01J49/40
• 分類號(hào): H01J49/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種飛行時(shí)間質(zhì)譜儀高通量的數(shù)據(jù)采集分析方法，其特征在于：所述的高通量分析方法主要包括微陣列芯片和微流控芯片，將多片微陣列芯片以及多片微流控芯片置于飛行時(shí)間質(zhì)譜儀采集端并在采集端周圍以及采集處稍前端亦有布置，其中微陣列芯片等空隙（不大于芯片的大小）布于微流控芯片之前，而微流控芯片亦等距布置于兩微陣列芯片之間以采集未被微陣列采集的分子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飛行時(shí)間質(zhì)譜儀高通量的數(shù)據(jù)采集分析方法，其特征在于：微陣列芯片與微流控芯片采集分子主要靠其上的分子探針，并且每一塊芯片上的分子探針排列并不相同以及種類并不相同（前后兩芯片的分子種類一般不同），分子種類主要依據(jù)所測(cè)物質(zhì)而定，若為未知物質(zhì)分子種類基本以常用分子種類為主。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飛行時(shí)間質(zhì)譜儀高通量的數(shù)據(jù)采集分析方法，其特征在于：兩芯片需基本布滿采集端以及采集端稍前處，一是為了盡可能多地采集分子，二是實(shí)現(xiàn)高通量采集。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飛行時(shí)間質(zhì)譜儀高通量的數(shù)據(jù)采集分析方法，其特征在于：微陣列芯片需位于微流控芯片之前，且兩者之間的距離很小，一是為了充分利用微陣列芯片上的陣列，二是防止兩類芯片相互影響，三是保證穿過微陣列芯片的分子能被采集。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飛行時(shí)間質(zhì)譜儀高通量的數(shù)據(jù)采集分析方法，其特征在于：微陣列芯片之間需留有不大于芯片大小的空隙，一是為了不讓兩微陣列芯片相互影響，二是為了提高兩類芯片的利用率以及減少芯片的使用量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飛行時(shí)間質(zhì)譜儀高通量的數(shù)據(jù)采集分析方法，其特征在于：兩類芯片的空隙都為等大小，一是為了使布置規(guī)范化，二是為了便于量產(chǎn)，三是為了美觀化。