[發明專利]一種GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法

有效

• 申請號: 201611180851.4
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106784143B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 陳一峰;余曉波
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/311
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐

1.一種GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法，所述GaAs PIN光電探測器件具體為在晶圓上生長含硅化合物，在含硅化合物上采用光刻工藝形成刻蝕圖形，其特征在于，包括如下步驟：

采用2-5次反應離子束方法刻蝕含硅化合物，每次按照預設時長刻蝕含硅化合物；其中，預設時長為至多5分鐘，每次刻蝕深度為0.2～0.3μm，每次刻蝕后需冷卻至室溫；

采用BOE腐蝕液進行濕法刻蝕工藝。

2.根據權利要求1所述的GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法，其特征在于，所述晶圓具體為GaAs。

3.根據權利要求1所述的GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法，其特征在于，所述含硅化合物具體為SiN或SiO₂。

4.根據權利要求1所述的GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法，其特征在于，在晶圓上生長含硅化合物具體為在晶圓上采用化學氣相沉積或反應濺射方法生長含硅化合物。

5.根據權利要求1所述的GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法，其特征在于，所述反應離子束方法中采用的氣體為F基氣體，具體為CF₄或SF₆。

6.根據權利要求1所述的GaAs PIN光電探測器件含硅化合物的刻蝕方法，其特征在于，所述BOE腐蝕液體積濃度為1％～5％，刻蝕深度為0.1～0.2μm，刻蝕時長至多15秒。