[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611180404.9
• 申請(qǐng)日: 2016-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN106784183B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁濤;郭炳磊;葛永暉;呂蒙普;胡加輝;李鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/48;H01L33/58
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在襯底上依次外延生長未摻雜AlN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、P型Al_yGa_1-yN層、P型GaN層，0.1＜y＜0.5，所述多量子阱層包括交替層疊的InGaN層和GaN層；

采用蒸鍍技術(shù)在所述P型GaN層上形成ITO電流擴(kuò)展層；

采用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)在所述ITO電流擴(kuò)展層上開設(shè)延伸至所述N型GaN層的凹槽；

在所述N型GaN層上設(shè)置N型電極，在所述ITO電流擴(kuò)展層上設(shè)置P型電極；

采用光刻技術(shù)在所述凹槽內(nèi)、以及所述N型電極和所述P型電極上形成光刻膠；

采用水熱法在所述ITO電流擴(kuò)展層和所述光刻膠上生長若干TiO₂納米棒，所述若干TiO₂納米棒以陣列方式設(shè)置，所述ITO電流擴(kuò)展層為所述若干TiO₂納米棒的種子層；

采用去膠液去除所述光刻膠和所述光刻膠上的TiO₂納米棒；

裂片得到若干相互獨(dú)立的LED芯片；

所述采用水熱法在所述ITO電流擴(kuò)展層和所述光刻膠上生長若干TiO₂納米棒，包括：

將所述襯底放置在水熱反應(yīng)釜中由鈦酸四丁酯和鹽酸組成的混合溶液內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)，在所述ITO電流擴(kuò)展層和所述光刻膠上形成所述若干TiO₂納米棒；所述混合溶液中鈦的濃度為0.02～0.2mol/L，所述混合溶液的pH值為6～8；反應(yīng)的溫度為100～200℃，反應(yīng)的時(shí)間為1～10小時(shí)

反應(yīng)完成后將所述混合溶液的溫度恢復(fù)至所述水熱反應(yīng)釜所在環(huán)境的溫度；

從所述水熱反應(yīng)釜中取出所述襯底，采用去離子水進(jìn)行沖洗，并采用氮?dú)獯蹈伞?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述TiO₂納米棒的直徑為20～80nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述TiO₂納米棒的高度為300～500nm。