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[發明專利]半導體器件及其制造方法在審

專利信息
申請號: 201611180344.0 申請日: 2016-12-19
公開(公告)號: CN107046014A 公開(公告)日: 2017-08-15
發明(設計)人: 侯皓程;鄭榮偉;王宗鼎;劉名哲 申請(專利權)人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號: H01L23/488 分類號: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李偉
地址: 中國臺*** 國省代碼: 臺灣;71
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 半導體器件 及其 制造 方法
【說明書】:

技術領域

本公開涉及半導體器件和制造半導體器件的方法。

背景技術

包括半導體器件的電子設備是我們日常生活中不可缺少的。隨著電子技術的進步,電子器件變得越來越復雜并且包括更多的集成電路以執行所需的多功能。因此,電子器件的制造包括越來越多的裝配和加工的步驟以及用于生產電子器件中的半導體器件的材料。因此,對簡化生產的步驟,提高生產效率和降低每一電子器件的相關的制造成本具有連續的需求。

在制造半導體器件的操作過程中,將半導體器件組裝成具有大量的集成組件,集成組件包括具有不同熱性能的多種材料。因此,集成組件是在不期望的配置中。不期望的配置將會導致半導體器件的產量損失、組件之間的較差的接合能力、裂縫的發展、組件的分層等。此外,半導體器件的組件包括多種金屬材料,該金屬材料數量有限并且因此成本較高。組件的不期望的配置和半導體器件的產量損失將進一步加劇材料的浪費,并且因此制造成本增加。

隨著包括具有不同材料的更多不同的組件和半導體器件的制造操作的復雜度增加,在改進半導體器件的結構和提高制造操作方面具有更多的挑戰。從而,改進制造半導體器件的方法和解決上述缺陷具有持續的需求。

發明內容

本發明的實施例提供了一種半導體器件,包括:半導體襯底;在半導體襯底上的導電焊盤;在導電焊盤上方的導體;環繞半導體襯底、導電焊盤和導體的模塑料;其中,導體具有短釘形狀。

本發明的實施例提供了一種半導體器件,包括:半導體襯底;在半導體襯底上的導電焊盤;在導電焊盤上方的導體;環繞半導體襯底、導電焊盤和導體的模塑料;其中,導體具有線狀的頭部且頭部延伸至模塑料的頂面。

本發明的實施例提供了一種制造半導體器件的方法,包括:提供半導體襯底;在半導體襯底上形成導電焊盤;在導電焊盤上設置導體;在導體上方設置電介質;在半導體焊盤上方設置模塑件。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時,根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明。應該強調的是,根據工業中的標準實踐,各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上,為了清楚的討論,各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。

圖1是根據一些實施例的半導體器件的示意圖。

圖2是根據一些實施例的圖1中半導體器件的一部分的放大圖。

圖3是根據一些實施例的半導體器件的示意圖。

圖3A是根據一些實施例的圖3中半導體器件的一部分的放大圖。

圖4是根據一些實施例的半導體器件的示意圖。

圖5A至圖5K是根據一些實施例的制造半導體器件的方法的操作。

圖6A至圖6G是根據一些實施例的制造半導體器件的方法的操作。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多不同的實施例或實例以實現本發明的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然,這些僅僅是實例而不旨在限制。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例,也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。而且,本發明在各個實例中可以重復參考數字和/或字母。該重復是出于簡明和清楚的目的,而其本身并未指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

而且,為便于描述,在此可以使用諸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空間相對術語,以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外,空間相對位置術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上),并且本文使用的空間相對描述符可以同樣地作相應的解釋。

在本公開中提供了一種半導體器件,其以經濟的方式將部件電連接到導電跡線上。半導體器件包括將部件電連接到導電跡線上的導體。在一些實施例中,導體具有不規則的圓錐形狀,且導體可通過引線接合技術制造。通過導體,本公開提供了制造半導體器件的更加經濟的方式。

圖1是半導體器件100的實施例。半導體器件100包括半導體襯底102。在一些實施例中,半導體襯底102包括諸如硅的半導體材料,且被制造帶有半導體襯底102內的預定功能電路,這通過各種操作產生,例如光刻、蝕刻、沉積、電鍍等。在一些實施例中,半導體襯底102通過機械鋸片或激光鋸片自硅晶圓分離。在一些實施例中,半導體襯底102是四邊形、矩形或正方形形狀。

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