[發(fā)明專利]一種高壓功率型肖特基二極管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611180023.0
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106711237B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高博;張戰(zhàn)國;雷應(yīng)毅;陳金虎
• 申請（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種高壓功率型肖特基二極管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，在硅外延層上制作終端保護結(jié)構(gòu)，得到第一硅外延層，保護結(jié)構(gòu)為保護環(huán)、溝槽或場板結(jié)構(gòu)；

步驟2，在第一硅外延層上進行光刻肖特基接觸孔，然后使用HF進行漂洗并且進行干燥處理，得到第二硅外延層；其中HF溶液為體積比為10-50:1的水和HF的稀釋溶液，且使用HF漂洗之后使用去離子水清洗至少1min；步驟2中烘干為在熱N₂環(huán)境下通過旋轉(zhuǎn)進行甩干；

步驟3，將摻有1％Cu或Si的金屬Al在壓強為3-5mTorr、純度大于99.999％的氬氣氣氛、腔室溫度為10～40℃的環(huán)境下，濺射功率為50-70W的條件下在第二硅外延層上進行濺射，得到的第三硅外延層上覆蓋有厚度至少為2μm的金屬Al層；或為在壓強為1-2mTorr、腔室溫度為10～40℃的環(huán)境下，使用電子束蒸發(fā)的方法將靶材為純度大于99.999％的金屬Al在第二硅外延層上進行蒸發(fā)，得到的第三層硅外延層上覆蓋有厚道至少為2μm的金屬Al層，其中電子束功率為50-70W；所述步驟2與步驟3之間的時間間隔為小于4小時；

步驟4，在第三硅外延層的金屬Al層上進行光刻，使用濕法腐蝕或干法刻蝕完成光刻工序，形成肖特基接觸金屬圖形，得到肖特基勢壘結(jié)構(gòu)；光刻之后在400-600℃下進行高溫氮氣退火，然后在300-400℃進行低溫氮氣退火，退火時間均為1-60min；

步驟5，將肖特基勢壘結(jié)構(gòu)的硅外延層的背面的厚度減薄至300μm以內(nèi)，然后按照肖特基二極管的封裝工藝要求對背面進行金屬化加工，得到高壓功率肖特基二極管。