[發明專利]薄膜熱電偶及含有其的溫度傳感器件有效
| 申請號： | 201611179924.8 | 申請日： | 2016-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN106595894B | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發明（設計）人： | 王慷慨;熊玉明 | 申請（專利權）人： | 美的集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G01K7/04 | 分類號： | G01K7/04 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 528311 廣東省佛山市順德區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 熱電偶 含有 溫度傳感器 | ||
1.一種薄膜熱電偶，其特征在于，包括：
基板，
第一電極，所述第一電極設置在所述基板上，且由二氧化錫形成；
第二電極，所述第二電極設置在所述基板上，與所述第一電極具有至少一個接觸點，且由摻雜二氧化錫形成；所述第二電極中的摻雜元素包括銻、氟、鈮、鉭中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述基板為絕緣基板或具有絕緣層的非絕緣基板。
3.根據權利要求1所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述基板選自石英玻璃基板、微晶玻璃基板、陶瓷基板和具有陶瓷絕緣層的鈦合金基板。
4.根據權利要求1所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述第一電極進一步含有摻雜元素，所述第一電極中的摻雜元素與所述第二電極中的摻雜元素不同。
5.根據權利要求4所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述第一電極中的摻雜元素包括銻、氟、鈮、鉭中的至少一種。
6.根據權利要求4所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述第一電極或所述第二電極中的摻雜元素的濃度各自獨立的為1-20at.％。
7.根據權利要求1所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極的厚度各地獨立的為0.3-3微米。
8.根據權利要求1所述的薄膜熱電偶，其特征在于，進一步包括：
絕緣保護層，所述絕緣保護層覆蓋所述第一電極和第二電極。
9.根據權利要求8所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述絕緣保護層為氧化物陶瓷或氮化物陶瓷薄膜。
10.根據權利要求9所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述絕緣保護層選自氧化鋁薄膜、二氧化硅薄膜、氮化鋁薄膜和氮化硅薄膜。
11.根據權利要求8所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述絕緣保護層的厚度為0.1-2微米。
12.根據權利要求8所述的薄膜熱電偶，其特征在于，所述第一電極、第二電極和絕緣保護層各自獨立的是通過物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成的。
13.一種溫度傳感器件，其特征在于，包括權利要求1-12中任一項所述的薄膜熱電偶。
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