[發明專利]曝光設備及曝光方法

有效

• 申請號: 201611179593.8
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106527055B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 朱美娜
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種曝光設備及曝光方法。

背景技術

在顯示技術領域，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)與有源矩陣有機發光二極管(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)顯示器等平板顯示器已經逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器，廣泛的應用于液晶電視、手機、個人數字助理、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。

在TFT-LCD和AMOLED的制造過程中，會多次利用構圖工藝。具體為，在涂有光刻膠的基板上方放置掩膜板(Mask)，然后利用曝光方法對基板進行曝光，具體的，曝光方法通過開啟超高壓水銀燈發出紫外(UV)光線，將掩膜板上的圖像信息轉移到涂有光刻膠的基板表面上，基于掩膜板的圖案，光刻膠會有被曝光的部分和未被曝光的部分。再利用顯影液對光刻膠進行顯影，即可去除光刻膠被曝光的部分，保留光刻膠未被曝光的部分(正性光刻膠)，或者去除光刻膠未被曝光的部分，保留光刻膠被曝光的部分(負性光刻膠)，從而使光刻膠形成所需的圖形。

在實現上述利用掩膜板進行曝光的過程中，發明人發現現有技術中在使用曝光設備進行曝光時，大多是一個曝光腔內用一張掩膜板只能曝光一張基板，由此既增加了制造成本，也降低了生產效率。圖1為現有技術中曝光設備的結構示意圖及其曝光光路示意圖，如圖1所示，所述曝光設備包括用于承載基板60的平臺(Plate Stage)51、設于所述平臺51上方與所述平臺51平行的掩膜板52、設于所述掩膜板52上方的曝光光源53，曝光過程中，基板60放置于平臺51上，所述曝光光源53射出的光線從所述掩膜板52的上方垂直射到所述掩膜板52的上表面，穿過所述掩膜板52垂直射到所述平臺51及放置于平臺51上的基板60上。

發明內容

本發明的目的在于提供一種曝光設備，通過合理設置光路，在一次曝光制程中利用一個掩膜板可同時對兩基板進行曝光，從而能夠提高產能，節省掩膜板。

本發明的另一目的在于提供一種曝光方法，使用上述曝光設備，在一次曝光制程中利用一個掩膜板可同時對兩基板進行曝光，從而能夠提高產能，節省掩膜板。

為實現上述目的，本發明提供一種曝光設備，包括一掩膜板、設于所述掩膜板左側下方的第一平臺、設于所述掩膜板右側下方的第二平臺、設于所述掩膜板右側上方的第一光源、及設于所述掩膜板左側上方的第二光源；

所述第一平臺、第二平臺均用于承載基板；

所述第一光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第一平臺；

所述第二光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第二平臺。

所述掩膜板為水平設置；所述第一平臺、第二平臺均為相對水平面傾斜設置；

所述第一平臺的上表面面向第一光源，所述第二平臺的上表面面向第二光源。

所述第一光源與第二光源射出的光線均為平行光線；

所述第一光源射出的光線從所述掩膜板的上方傾斜射到所述掩膜板的上表面，穿過所述掩膜板垂直射到所述第一平臺；

所述第二光源射出的光線從所述掩膜板的上方傾斜射到所述掩膜板的上表面，穿過所述掩膜板垂直射到所述第二平臺。

所述第一平臺與第二平臺為左右對稱設置；所述第一光源與第二光源為左右對稱設置；

所述第一光源射出的光線從所述掩膜板的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜板的上表面，所述第二光源射出的光線從所述掩膜板的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜板的上表面，其中，θ1等于θ2。

所述的曝光設備，還包括容納所述掩膜板、第一平臺、第二平臺、第一光源、及第二光源的曝光腔。

本發明還提供一種曝光方法，包括如下步驟：

步驟1、提供曝光設備、及兩個基板，所述曝光設備包括一掩膜板、設于所述掩膜板左側下方的第一平臺、設于所述掩膜板右側下方的第二平臺、設于所述掩膜板右側上方的第一光源、及設于所述掩膜板左側上方的第二光源；將兩個基板分別放置于第一平臺、第二平臺上；

步驟2、開啟第一光源與第二光源，所述第一光源射出的光線穿過所述掩膜板射到放置于所述第一平臺上的基板上；所述第二光源射出的光線穿過所述掩膜板射到放置于所述第二平臺上的基板上。

所述掩膜板為水平設置；所述第一平臺、第二平臺均為相對水平面傾斜設置；

所述第一平臺的上表面面向第一光源，所述第二平臺的上表面面向第二光源。