[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制作方法有效
| 申請號： | 201611179282.1 | 申請日： | 2016-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN106711299B | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 吉亞莉;萬林;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 插入層 外延片 超晶格結構 電子阻擋層 發光二極管 藍寶石 交替層疊 襯底 半導體技術領域 未摻雜GaN層 半導體表面 多量子阱層 全反射定律 外量子效率 出光效率 粗糙表面 改變方向 空氣界面 依次層疊 成核層 緩沖層 全反射 散射 透射 制作 粗糙 | ||
1.一種發光二極管的外延片，所述外延片包括藍寶石襯底、以及依次層疊在所述藍寶石襯底上的緩沖層、成核層、未摻雜GaN層、N型層、多量子阱層、電子阻擋層、P型層，其特征在于，所述外延片還包括層疊在所述電子阻擋層和所述P型層之間的插入層，所述插入層為交替層疊的MgN層和P型摻雜的GaN層組成的超晶格結構，所述P型層為P型摻雜的GaN層，所述插入層的厚度大于所述P型層的厚度，所述插入層中P型摻雜劑的摻雜濃度大于所述P型層中P型摻雜劑的濃度，所述P型層具有所述MgN層進行表面處理獲得的粗糙表面。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述插入層的厚度小于100nm。
3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，各層所述P型摻雜的GaN層中P型摻雜劑的摻雜濃度沿所述外延片的層疊方向逐層增多。
4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，各層所述P型摻雜的GaN層中P型摻雜劑的摻雜濃度沿所述外延片的層疊方向逐層減少。
5.一種發光二極管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在藍寶石襯底上依次生長緩沖層、成核層、未摻雜GaN層、N型層、多量子阱層、電子阻擋層、插入層、P型層；
其中，所述插入層為交替層疊的MgN層和P型摻雜的GaN層組成的超晶格結構，所述P型層為P型摻雜的GaN層，所述插入層的厚度大于所述P型層的厚度，所述插入層中P型摻雜劑的摻雜濃度大于所述P型層中P型摻雜劑的濃度，所述P型層具有所述MgN層進行表面處理獲得的粗糙表面。
6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述插入層的生長溫度低于所述P型層的生長溫度。
7.根據權利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述插入層中的P型摻雜的GaN層的生長壓力為100~900torr。
8.根據權利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述MgN層的生長壓力為300~900torr。
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