[發(fā)明專(zhuān)利]一種憶阻器及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611178578.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106654009B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 諸葛飛;胡令祥;曹鴻濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠(chéng)午

1.一種憶阻器，其特征在于，包括：依次在襯底上形成底電極層、中間介質(zhì)層和頂電極層；

所述中間介質(zhì)層由硫族化合物層和氧化物層組成，其中，硫族化合物層與底電極層相接，氧化物層與頂電極層相接；所述的氧化物層完全覆蓋在硫族化合物層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，所述硫族化合物層的材料為硫化鋅、硫化銀、硫化亞銅、硫化鍺、硫化鎘、硫化鎢、硫化鉬、硒化鉛、硒化鋅、硒化鎘、硒化鍺、碲化鋅和碲化銦中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的憶阻器，其特征在于，所述硫族化合物層的材料為硫化鋅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，所述氧化物層的材料為氧化鋅、氧化鋯、氧化鉿、二氧化硅、氧化鉭、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎳和氧化鎢中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的憶阻器，其特征在于，所述氧化物層的材料為氧化鋅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，所述中間介質(zhì)層的總厚度為1～500nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的憶阻器，其特征在于，所述中間介質(zhì)層的總厚度為70～100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，所述頂電極層的材料為銅、銀、鋁、鈦、鎳、鋅、錫、錳和鐵中的一種或多種，所述頂電極層的厚度為1～500nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的憶阻器，其特征在于，所述頂電極層的材料為銅，其厚度為50nm。

10.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器在制備神經(jīng)突觸仿生器件中的應(yīng)用。