[發明專利]陣列碳納米管聚合物復合材料、制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201611178554.6
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106832766B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 李渭龍;黃珊;任兆玉;周譯玄;徐新龍
• 申請（專利權）人: 西北大學
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;C08K7/24;G02B5/30
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 王芳

1.陣列碳納米管聚合物復合材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：將生長碳納米管的襯底清洗烘干，在保護氣體下將步驟一的襯底加熱至720～750℃，通入碳源和催化劑，反應5～10min，反應完成后在氬氣氣氛中冷卻至室溫，即可得到垂直陣列碳納米管；其中，保護氣體為氬氣和氫氣的混合氣體，氫氣的總占比為10～30％。

步驟二：將步驟一制得的陣列碳納米管置于聚合物溶液中，在40～50℃下培養48h，然后取出聚合物溶液中的陣列碳納米管在50～70℃下保溫48h，即可獲得陣列碳納米管聚合物復合材料；

所述的陣列碳納米管聚合物復合材料中陣列碳納米管表面包覆有聚合物層；所述的聚合物是指對太赫茲透明的環氧樹脂聚合物，所述的環氧樹脂聚合物由環氧樹脂、十二碳琥珀酸酐、甲基內次甲基四氫苯二甲酸酐和苯酚組成；所述的環氧樹脂、十二碳琥珀酸酐和甲基內次甲基四氫苯二甲酸酐的體積比為：7.5：4：3.5～8.5。

2.陣列碳納米管聚合物復合材料太赫茲偏振片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：將生長碳納米管的襯底清洗烘干，在保護氣體下將步驟一的襯底加熱至720～750℃，通入碳源和催化劑，反應5～10min，反應完成后在氬氣氣氛中冷卻至室溫，即可得到垂直陣列碳納米管；其中，保護氣體為氬氣和氫氣的混合氣體，氫氣的總占比為10～30％；

步驟二：將步驟一制得的陣列碳納米管置于聚合物溶液中，在40～50℃下培養48h，然后取出聚合物溶液中的陣列碳納米管在50～70℃下保溫48h，即可獲得陣列碳納米管聚合物復合材料；

所述的陣列碳納米管聚合物復合材料中陣列碳納米管表面包覆有聚合物層；所述的聚合物是指對太赫茲透明的環氧樹脂聚合物，所述的環氧樹脂聚合物由環氧樹脂、十二碳琥珀酸酐、甲基內次甲基四氫苯二甲酸酐和苯酚組成；所述的環氧樹脂、十二碳琥珀酸酐和甲基內次甲基四氫苯二甲酸酐的體積比為：7.5：4：3.5～8.5；

步驟三：將步驟二獲得的陣列碳納米管聚合物復合材料沿陣列取向方向切片，即可得陣列碳管聚合物復合材料太赫茲偏振片；

步驟四：將步驟三制備的陣列碳管聚合物復合材料太赫茲偏振片水平放置，通過旋轉該太赫茲偏振片，測量不同偏振入射角度下太赫茲波的透射情況。

3.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述的催化劑為二茂鐵，所述的碳源為乙炔。