[發明專利]一種低噪高速跨阻放大器

有效

• 申請號: 201611178239.3
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106788280B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 石躍;何林峰;龔宏國
• 申請（專利權）人: 成都信息工程大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/48;H03F3/45
• 代理公司: 51232 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 葛啟函

1.一種低噪高速跨阻放大器，包括兩個電流放大器、一個電流鏡電流做差電路和一個后級跨阻放大器；

第一電流放大器輸入端接信號光電管，第二電流放大器輸入端接虛擬光電管或浮空處理；

電流鏡電流做差電路的兩個輸入端分別接兩個電流放大器的輸出端，將兩個電流放大器的輸出電流做差；

所述第一電流放大器和第二電流放大器均由一個前級跨阻放大器和一個后級電壓電流轉換電路組成，所述第一電流放大器中前級跨阻放大器的輸入端接信號光電管，其輸出信號經過后級電壓電流轉換電路后連接所述電流鏡電流做差電路的一個輸入端；所述第二電流放大器中前級跨阻放大器的輸入端接虛擬光電管或浮空處理，其輸出信號經過后級電壓電流轉換電路后連接所述電流鏡電流做差電路的另一個輸入端；

后級跨阻放大器的輸入端接電流鏡電流做差電路的輸出端。

2.根據權利要求1所述的一種低噪高速跨阻放大器，其特征在于，所述第一電流放大器與第二電流放大器采用相同的電流放大電路形式，所述電流放大電路由一個前級跨阻放大器和一個后級電壓電流轉換電路組成，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(RF1)、第一電容(C1)、第二電容(CF1)和放大器(A1)；

第一NMOS管(MN1)的柵極作為所述電流放大電路的輸入端，第二PMOS管(MP2)的源極作為所述電流放大電路的輸出端；

第一NMOS管(MN1)的柵極經過第四電阻(RF1)和第二電容(CF1)的并聯結構后連接放大器(A1)的同相輸入端，其漏極經過第一電阻(R1)后接電源電壓(VDD)，其源極接地；

第二NMOS管(MN2)的柵極接第一NMOS管(MN1)的漏極，其源極通過第二電阻(R2)后接地，其漏極接電源電壓(VDD)；

第三NMOS管(MN3)的柵極接放大器(A1)的輸出端，其源極接放大器(A1)的反相輸入端和第四NMOS管(MN4)的漏極，其漏極接第一PMOS管(MP1)的源極和柵極以及第二PMOS管(MP2)的柵極；

第四NMOS管(MN4)的漏極通過第三電阻(R3)和第一電容(C1)的串聯結構后接地，其源極接地，其柵極接電壓偏置(VB0)；

第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的漏極接電源電壓(VDD)。

3.根據權利要求1所述的一種低噪高速跨阻放大器，其特征在于，所述電流鏡電流做差電路包括柵極互連的第五NMOS管(MN5)和第六NMOS管(MN6)，第五NMOS管(MN5)的柵極和漏極互連并連接第二電流放大器的輸出端(IOUT2)，第六NMOS管(MN6)的漏極連接第一電流放大器的輸出端(IOUT1)并作為電流鏡電流做差電路的輸出端，第五NMOS管(MN5)和第六NMOS管(MN6)的源極接地。

4.根據權利要求1所述的一種低噪高速跨阻放大器，其特征在于，所述后級跨阻放大器包括并聯的反向放大器和第五電阻(RF2)，反向放大器的輸入端連接電流鏡電流做差電路的輸出端，其輸出端(OUT)為整個跨阻放大器的輸出端。