[發明專利]一種基于低價晶硅片的疊層太陽能光伏電池在審
| 申請號: | 201611173877.6 | 申請日: | 2016-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN106784110A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 王珺;郭群超;朱紅英;丁云飛;朱晨烜 | 申請(專利權)人: | 上海電機學院 |
| 主分類號: | H01L31/0725 | 分類號: | H01L31/0725;H01L31/076 |
| 代理公司: | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司31227 | 代理人: | 俞晨波 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 低價 硅片 太陽能 電池 | ||
技術領域
本發明涉及新型太陽能光伏電池結構領域,具體地說,特別涉及到一種基于PN單結晶硅-PIN薄膜結構的疊層太陽能光伏電池。
背景技術
目前現有的疊層電池技術多為基于薄膜材料的疊層電池,研究主要其中在多元化合物疊層電池、非晶硅疊層電池和染料敏化疊層電池等。
化合物疊層電池中主要薄膜材料為III-V族,II-IV族及CIGS材料。III-V族化合物疊層電池主要應用禁帶寬度為1.42eV的GaAs構成AlGaAs/GaAs,GaInP2/GaAs等雙結型疊層電池,最高轉化效率為25.7%。最廣泛的為非晶硅/微晶硅薄膜疊層電池。II-IV族化合物疊層電池主要應用為禁帶寬度為1.46eV的CdT構成CdS/CdTe疊層電池。CIGS電池中的CGS/CIS疊層電池效率可達33.9%。非晶硅疊層電池中常見的為a-Si/ploy-Si,a-Si/μc-Si和a-Si/nc-Si疊層電池,其中a-Si/nc-Si疊層電池最高效率為12.7%。染料敏化疊層電池成本低廉,但轉化效率過低,目前處于研究狀態。
疊層太陽能光伏電池的難點在于找到兩種帶寬的半導體材料,能有效吸收利用陽光中的長短波光,并且這兩種半導體材料能夠進行良好的晶格匹配,厚度匹配。材料厚度的匹配是出于對串聯的上下單體電池輸出電流匹配的考慮。因此在基于薄膜的疊層電池中,需要高精度的控制薄膜沉積厚度,對薄膜沉積設備要求高,不適合大規模生產。例如目前研究廣泛的非晶硅疊層電池,對非晶硅材料的純度要求較高,價格貴,無法在工業中推廣。
發明內容
本發明的目的在于針對現有技術中的不足,提供一種基于低價晶硅片的疊層太陽能光伏電池,能夠適合大規模工業生產,并在保持高轉化效率的前提下,將低純度廉價材料作為電池生產材料,大幅降低材料成本,從而降低整個電池成本。
本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現:
一種基于低價晶硅片的疊層太陽能光伏電池,包括位于下層的PN單結晶硅電池、以及位于上層的PIN非晶硅薄膜電池,所述PN單結晶硅電池和PIN非晶硅薄膜電池通過外延技術沉積的晶硅層。
進一步的,所述下層的PN單結晶硅電池的晶體硅材料的帶寬為1.2eV,其用于吸收600-1100nm的長波光,上層的PIN薄膜電池的非晶體硅材料的帶寬為1.7eV,其用于吸收380-600nm的短波光。
進一步的,所述PN單結晶硅電池采用低純度的薄硅片。
與現有技術相比,本發明的有益效果如下:
1、將低價硅材料應用于疊層電池中,降低了電池的材料成本。
2、為了保證低價材料的性能不衰退,本發明避開了傳統高溫熱擴散法形成PN結的方法,而是采用了相對低溫的外延生長的方法,形成疊層電池中的隧道結和下層電池的PN結,降低的生產成本。
3、本發明疊層電池使用低價材料制作高效電池,通過AMPS軟件仿真,可知,當下層電池只有50微米厚度時,電池效率可達21.5%。
附圖說明
圖1為本發明所述的疊層太陽能光伏電池的結構示意圖。
圖2為本發明所述的疊層太陽能光伏電池的吸收示意圖。
具體實施方式
為使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本發明。
參見圖1和圖2,本發明所述的一種基于低價晶硅片的疊層太陽能光伏電池,其下層電池為基于低純度N型硅片的PN單結晶硅電池,上層電池為基于普通純度的薄膜硅材料的PIN非晶硅薄膜電池,上下層電池通過外延生長的晶硅隧穿結串聯在一起。疊層電池結構示意圖如圖1。
本發明疊層電池中上層電池的非晶硅材料帶寬為1.7eV,下層電池的晶體硅材料帶寬為1.2eV。上層電池將主要吸收600nm之前短波光,下層電池主要系數600-1100nm中長波的光,如圖2所示。由于下層電池為低純度硅片,該硅片中光生少子壽命相對較短,為了克服這一缺點,可采用薄硅片替代厚硅片應用于電池。
本發明的疊層電池中串聯上下電池的隧道結為外延生長的晶硅層,減少了由于薄膜材料之間的晶格不匹配而引入的缺陷。同時,下層電池材料為低純度硅片,若利用傳統高溫熱擴散的方法形成PN結,勢必會使晶硅片的少子壽命嚴重下降,因此本發明采用外延生長的方法在N型硅片表面生長PN結,外延生長的相對較低的溫度不會是晶硅片的質量嚴重下降。
以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解,本發明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理,在不脫離本發明精神和范圍的前提下,本發明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
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