[發(fā)明專利]非晶體二氧化硅處理劑及用其處理污水的工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611171468.2
• 申請日: 2016-12-17
• 公開（公告）號: CN106745599B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王慶中;李文賢
• 申請（專利權(quán)）人: 王慶中;李文賢
• 主分類號: C02F1/52
• 分類號: C02F1/52;C02F1/56;C02F1/28;C02F9/14
• 代理公司: 昆明正原專利商標代理有限公司 53100
• 代理人: 徐玲菊;蔣文睿

1.一種非晶體二氧化硅處理劑，其特征在于它由非晶體二氧化硅產(chǎn)品與絮凝劑按下列質(zhì)量比混合而得：

非晶體二氧化硅產(chǎn)品: 絮凝劑 = 6.5-7.9 : 3.5-2.1；

所述絮凝劑為硫酸鋁、三氯化鐵中的一種或二種，且二種的混合均為任意質(zhì)量比；

所述非晶體二氧化硅產(chǎn)品通過下列方法制得：將硅藻土磨細至0.074mm，加水混合成質(zhì)量濃度為30-45%的礦漿,在130-200轉(zhuǎn)/分的條件下擦洗20-25分鐘,再加水稀釋礦漿濃度至15-25%，在1440-2800轉(zhuǎn)/分的條件下分散2-5分鐘,同時按每噸原礦加入20-25克的量，加入分散劑，經(jīng)一級分離，把硅藻土中的晶體二氧化硅雜質(zhì)分離去除；再經(jīng)二級分離，使非晶體二氧化硅沉降，而硅藻土中的雜質(zhì)：蒙托石、伊利石、高嶺石、水涓云母則隨水分離去除；沉降的非晶體二氧化硅經(jīng)烘干后，得非晶體二氧化硅產(chǎn)品；所述分散劑為六偏磷酸鈉、偏硅酸鈉、氫氧化鈉中的一種或幾種，且?guī)追N的混合均為任意質(zhì)量比；

所述非晶體二氧化硅產(chǎn)品為含結(jié)晶水的蛋白石組成的硅藻，化學成分是非晶體二氧化硅，其結(jié)構(gòu)是納米微孔；

所述非晶體二氧化硅產(chǎn)品中：化學成分非晶體二氧化硅比重為2.2-2.4、含量為65-85%，晶體二氧化硅比重為2.6、含量為1-5%，鉛≦50 PPM，砷≦6 PPM，燒損量≦5%，pH值 6-8，緊堆密度≦0.45；

所述非晶體二氧化硅產(chǎn)品中的硅藻量占70-90%。

2.一種用權(quán)利要求1所述非晶體二氧化硅處理劑處理污水的方法，包括下列處理系統(tǒng)及處理步驟：

所述處理系統(tǒng)如下：調(diào)節(jié)池、格柵、旋流沉砂設(shè)備、厭氧池、好氧池、鼓風機、消毒設(shè)備，儲泥池、儲水池及非晶體二氧化硅處理設(shè)備；

所述處理步驟包括：對污水pH值進行調(diào)節(jié)、對污水中漂浮物和粗砂進行分離、對污水進行好氧和厭氧處理或/和對污水進行消毒殺菌處理的常規(guī)步驟；

其特征在于還包括對污水進行的下列非晶體二氧化硅處理劑處理：

A、將污水送入非晶體二氧化硅處理設(shè)備之前，按每噸污水投放20-100克的量，向污水中投入非晶體二氧化硅處理劑；

B、將混合有非晶體二氧化硅處理劑的污水，以2-3m/s的流速送入非晶體二氧化硅處理設(shè)備的豎直進水管即一室中，再進入豎直進水管與筒體之間的二室中，最后進入澄清池中，使污水流速隨澄清池截面積的擴大而減慢至0.1-0.5mm/s，讓非晶體二氧化硅處理劑在對污水中的污染物充分吸附、絮凝的同時，在澄清池中自然形成非晶體二氧化硅鈉米微孔過濾層，從而過濾污染物和水,清水以0.1-0.5mm/s的上升速度上升后經(jīng)過出水堰槽后從出水口溢出，污染物以0.5-1.5mm/s速度沉降至底部后，經(jīng)排泥口排出。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述污水在非晶體二氧化硅處理設(shè)備中的停留時間為3-5小時。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述非晶體二氧化硅處理設(shè)備，包括帶空腔的錐形殼體，其特征在于錐形殼體上部設(shè)有出水堰槽、底部設(shè)有排泥口，在空腔中心位置設(shè)有豎直進水管，該豎直進水管內(nèi)部為一室，該豎直進水管的上端敞開、下端穿過錐形殼體底部向外延伸，在空腔中并位于豎直進水管外圍設(shè)有筒體，該筒體與豎直進水管之間為二室，該筒體的上端與錐形殼體頂部相連，下端與錐形殼體底部保持間距，筒體與錐形殼體壁之間為澄清池。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述出水堰槽包括大圈槽、中圈槽、小圈槽，在小圈槽與大圈槽之間設(shè)有徑向長條槽，在中圈槽與大圈槽之間設(shè)有徑向短條槽，且大圈槽、中圈槽、小圈槽、徑向長條槽、徑向短條槽相互連通，每條槽的兩側(cè)邊均設(shè)為齒邊。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述錐形殼體壁的傾斜角為45-55度。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述錐形殼體為圓錐形或多邊錐形。