[發(fā)明專利]用于金屬柵極的制造技術(shù)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611169046.1
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN106783740B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷通;陳勇躍;周海鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的金屬柵極的方法，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上提供第一型晶體管區(qū)域和第二型晶體管區(qū)域，其中所述第一型晶體管區(qū)域和所述第二型晶體管區(qū)域的每一者包括虛柵極；

在所述第一型晶體管區(qū)域的虛柵極和所述第二型晶體管區(qū)域的虛柵極周圍提供零階層間介電ILD0層；

在所述ILD0層之上形成可灰化的第一層；

在所述第一層之上形成第二層，所述第二層包括碳化硅SiC；

執(zhí)行圖案化工藝以移除所述第一型晶體管區(qū)域中的虛柵極并在所述第一型晶體管區(qū)域中形成第一型晶體管的金屬柵極；

執(zhí)行第一化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝以拋光所述第一型晶體管的金屬柵極，其中所述第一化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝包括移除所述第二層但不移除所述第一層；以及

通過灰化法移除所述第一層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一層的厚度介于300埃至1000埃之間。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二層的厚度介于100埃至500埃之間。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，使用氧化氣體通過灰化法移除所述第一層。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一層包括無定形碳。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一型晶體管為P型金屬柵極晶體管，以及所述第二型晶體管為N型金屬柵極晶體管。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一型晶體管為N型金屬柵極晶體管，以及所述第二型晶體管為P型金屬柵極晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在移除所述第一層之后在所述ILD0層之上形成硬掩模層；

執(zhí)行圖案化工藝以移除所述第二型晶體管區(qū)域中的虛柵極并在所述第二型晶體管區(qū)域中形成第二型晶體管的金屬柵極；

執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝以拋光所述第二型晶體管的金屬柵極，其中所述化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝包括移除所述硬掩模層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層包括氮化鈦TiN。