[發明專利]片式元器件的封端方法及制備方法在審
| 申請號： | 201611168709.8 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN106653403A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 農劍;周超;付振曉;沓世我;伍秀波;王建明;李保昌 | 申請（專利權）人： | 廣東風華高新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01G13/00 | 分類號： | H01G13/00;H01C17/02;H01C17/28;H01F41/00;H01F41/14;H01F41/18 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 生啟 |
| 地址： | 526020 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 元器件 端方 制備 方法 | ||
1.一種片式元器件的封端方法，其特征在于，包括以下步驟：
采用磁控濺射的方式在陶瓷體的端面制備端電極；
在所述端電極的表面電鍍形成鎳層；
在所述鎳層的表面電鍍形成錫層。
2.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述磁控濺射的靶材為鎳鉻合金。
3.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述磁控濺射的功率為200W～260W，磁控濺射的時間為5min～20min，加熱的溫度為200℃～400℃。
4.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述磁控濺射在保護性氣體氣氛下進行，所述保護氣體的流量為30sccm～60sccm。
5.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述端電極的厚度為0.45μm～0.55μm。
6.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述采用磁控濺射的方式在所述陶瓷體的端面制備端電極的步驟前還包括步驟：對所述陶瓷體的端面進行打磨處理。
7.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，在所述端電極的表面電鍍形成鎳層的步驟中，電鍍的時間為60min～120min。
8.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，在所述鎳層的表面電鍍形成錫層的步驟中，電鍍的時間為60min～120min。
9.根據權利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述鎳層的厚度為3μm～12μm；所述錫層的厚度為8μm～15μm。
10.一種片式元器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
以陶瓷漿料為原料制備介質層；
在所述介質層表面形成內電極得到具有內電極的介質層；
將多個所述具有內電極的介質層層疊得到層疊單元；
在所述層疊單元的兩個相對的表面分別層疊保護層，壓合后形成層疊基板；
對所述層疊基板進行切割，形成層疊體；
對所述層疊體進行排膠和燒結得到陶瓷體，所述陶瓷體具有端面；
采用磁控濺射的方式在所述陶瓷體的端面制備端電極，所述端電極與所述內電極連接；
在所述端電極的表面電鍍形成鎳層；
在所述鎳層的表面電鍍形成錫層。
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