[發明專利]一種多晶硅錠及其制備方法有效
| 申請號： | 201611168629.2 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN106757331B | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發明（設計）人： | 雷琦;胡動力;何亮;鄢俊琦 | 申請（專利權）人： | 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 338004 *** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅錠 覆蓋層 硅熔體 架空層 形核劑 熔化 形核 坩堝 制備 形核層 硅片 硅料 退火 空隙形成 硅顆粒 硅塊 填裝 加熱 冷卻 鑄造 垂直 貫通 鋪設 覆蓋 | ||
1.一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括：
提供坩堝，在所述坩堝底部設置形核劑層；
在所述形核劑層上設置硅塊或硅顆粒形成架空層，所述架空層在垂直于所述坩堝底部的方向上設有貫通的空隙，所述架空層的高度不小于10mm；
在所述架空層上鋪設硅片，所述硅片覆蓋所述空隙形成覆蓋層，然后在所述覆蓋層上填裝硅料；
加熱使所述硅料熔化形成硅熔體，當所述覆蓋層熔化時，所述硅熔體通過所述空隙流向所述形核劑層的表面，在所述形核劑層表面形核形成形核層；待所述覆蓋層完全熔化后立即進入長晶階段，所述硅熔體在所述形核層的基礎上開始長晶；
待全部硅熔體結晶完后，經退火冷卻得到多晶硅錠。
2.如權利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述架空層的高度為10mm-100mm。
3.如權利要求2所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述架空層的高度為10mm-30mm。
4.如權利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述架空層中設有至少一個寬度大于或等于10mm的空隙。
5.如權利要求4所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述空隙寬度為10mm-150mm。
6.如權利要求5所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述空隙寬度為50mm-150mm。
7.如權利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述加熱使所述硅料熔化形成硅熔體的過程中，所述坩堝頂部的溫度為1510℃-1530℃，所述坩堝底部的溫度為1300℃-1360℃。
8.如權利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述硅塊或所述硅顆粒的尺寸為10mm-30mm。
9.如權利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述覆蓋層的厚度為1cm-5cm。
10.一種多晶硅錠，其特征在于，所述多晶硅錠按照如權利要求1-9任一項所述的制備方法制得。
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