[發明專利]一種改善動態誤差矢量幅度的裝置及方法在審
| 申請號: | 201611168469.1 | 申請日: | 2016-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN106788282A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 柯慶福;劉政清;林甲富 | 申請(專利權)人: | 銳迪科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司: | 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司11514 | 代理人: | 殷曉雪 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 動態 誤差 矢量 幅度 裝置 方法 | ||
1.一種改善動態誤差矢量幅度的裝置,其特征是,包括兩個溫度檢測電路、一個控制電路、一個偏置電路和一個放大電路;
兩個溫度檢測電路分別用來檢測功率晶體管、片上其他器件的溫度,并將檢測結果送往控制電路;
控制電路根據兩個溫度檢測電路的檢測結果的差值決定輸出;當兩個溫度檢測電路的檢測結果的差值大于閾值時,控制電路輸出補償信號;當兩個溫度檢測電路的檢測結果的差值大于閾值時,控制電路不輸出;
偏置電路輸出一個穩定的偏置信號;
偏置電路輸出的穩定的偏置信號疊加控制電路的輸出后,用來為放大電路中的功率晶體管提供偏置。
2.根據權利要求1所述的改善動態誤差矢量幅度的裝置,其特征是,兩個溫度檢測電路之間的距離在300微米以上;和/或
用來檢測片上其他器件的溫度檢測電路與功率晶體管的距離在300微米以上;和/或
片上其他器件與功率晶體管的距離在300微米以上。
3.根據權利要求1所述的改善動態誤差矢量幅度的裝置,其特征是,溫度檢測電路、控制電路、偏置電路和放大電路被封裝在同一顆芯片中。
4.根據權利要求1所述的改善動態誤差矢量幅度的裝置,其特征是,所述控制電路包括CMOS控制器、開關一和開關二;
兩個溫度檢測電路均將檢測結果送入CMOS控制器,CMOS控制器計算兩個溫度檢測電路的檢測結果的差值稱為ΔV,并與閾值A做比較;當ΔV<A時CMOS控制器輸出低電平,當ΔV>A時CMOS控制器輸出高電平;
功率放大器的使能信號決定開關一的狀態;功率放大器的使能信號為高電平時開關一閉合,功率放大器的使能信號為低電平時開關一斷開;
CMOS控制器的輸出端決定開關二的狀態;CMOS控制器的輸出端輸出低電平時開關二閉合,CMOS控制器的輸出端輸出高電平時開關二斷開;
電流源或電壓源通過級聯的開關一和開關二連接功率晶體管的基極。
5.根據權利要求4所述的改善動態誤差矢量幅度的裝置,其特征是,所述開關一包括NMOS管一、PMOS管一和反相器一;功率放大器的使能信號連接NMOS管一的柵極,還通過反相器一連接PMOS管一的柵極;NMOS管一的源極和PMOS管一的源極相連,并連接電流源的輸出端;NMOS管一的漏極和PMOS管一的漏極相連,并連接NMOS管二的源極;
所述開關二包括NMOS管二、PMOS管二和反相器二;CMOS控制器的輸出端連接PMOS管二的柵極,還通過反相器二連接NMOS管二的柵極;NMOS管二的源極和PMOS管二的源極相連,并連接NMOS管一的漏極;NMOS管二的漏極和PMOS管二的漏極相連,并連接功率晶體管的基極。
6.根據權利要求4所述的改善動態誤差矢量幅度的裝置,其特征是,所述溫度檢測電路包括開關管和溫度檢測管;功率放大器的使能信號通過電阻四連接開關管的基極,開關管的集電極通過電阻五連接參考電壓,開關管的發射極通過電阻六接地,開關管的發射極還連接溫度檢測管的基極;溫度檢測管的集電極輸出表征溫度的檢測電壓,溫度檢測管的集電極還通過電阻七連接參考電壓,溫度檢測管的發射極接地。
7.一種改善動態誤差矢量幅度的方法,其特征是,分別檢測功率晶體管、片上其他器件的溫度,并將兩個檢測結果的差值與閾值相比較;當兩個檢測結果的差值小于閾值時,偏置信號疊加補償信號共同為功率晶體管提供偏置;當兩個檢測結果的差值大于閾值時,僅由偏置信號為功率晶體管提供偏置。
8.根據權利要求7所述的改善動態誤差矢量幅度的方法,其特征是,所述檢測溫度的步驟包括功率放大器的使能信號決定開關管的狀態;開關管開啟時由電阻分壓支路為溫度檢測管提供偏置;當溫度升高時,由于溫度檢測管的偏置電壓不變,因此通過溫度檢測管的電流增加,導致溫度檢測管輸出的檢測電壓變小;反之亦然,當溫度降低時,溫度檢測管輸出的檢測電壓變大。
9.根據權利要求7所述的改善動態誤差矢量幅度的方法,其特征是,當功率晶體管剛開啟時,其溫度與片上其他器件的溫度差值小于閾值,因此有補償信號疊加穩定的偏置信號共同作為功率晶體管的基極偏置,使其快速達到熱穩定狀態;
當功率晶體管接近或達到熱穩定狀態時,其溫度與片上其他器件的溫度差值大于閾值,因此補償信號不再輸出,僅由穩定的偏置信號作為功率晶體管的基極偏置,使其回歸正常偏置。
10.根據權利要求7所述的改善動態誤差矢量幅度的方法,其特征是,功率放大器的工作狀態占總時間的比值稱為功率放大器的占空比;功率放大器的占空比的變化、功率放大器的使能信號的周期不同均體現為對功率晶體管、片上其他器件的溫度檢測結果的差值,并由此決定是否輸出補償信號。
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