[發明專利]一種減反射膜的制備方法及大角度入射減反射膜

有效

• 申請號: 201611168145.8
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN106772710B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 鄧文淵;金春水;靳京城;李春
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: G02B1/115
• 分類號: G02B1/115
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 趙勍毅

1.一種減反射膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟S100，在基底上，采用真空熱沉積方法交替進行正入射沉積高折射率單層膜及低折射率單層膜；

步驟S200，在最外層采用真空熱沉積方法，以預設的入射沉積角度α傾斜沉積低折射率單層膜；

其中，所述入射沉積角度α為基底法線方向與膜料蒸汽入射方向的夾角，在所述步驟S200獲得的膜系中，所述入射沉積角度α為78°，所述傾斜沉積低折射率單層膜的膜層厚度200nm以內，所述傾斜沉積的低折射率單層膜在深紫外波段的光學常數：在193nm波長的折射率為1.2111，消光系數為0.0005；

在沉積過程中，使光學基底以一定速率進行自轉。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在所述步驟S100獲得的膜系中，所述高折射率單層膜在深紫外波段的光學常數：在193nm波長的折射率為1.68-1.72，消光系數為0.0025-0.003。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在所述步驟S100獲得的膜系中，所述低折射率單層膜在深紫外波段的光學常數：在193nm波長的折射率為1.40-1.42，消光系數為0.0004-0.0006。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在所述步驟S100中，采用鉬舟或鉭舟作為蒸發容器，鍍膜基底選用紫外CaF2或藍寶石紫外光學基底,本底真空度<10^-6mbar，基底加溫溫度為250℃-300℃之間，薄膜厚度控制采用晶控方法。

5.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于：所述光學常數的測量方法為：采用Lambda950分光光度計測量所制備單層膜的透射光譜和反射光譜，并對所述透射光譜及反射光譜進行多極值光譜反演解析，得到單層膜的光學常數。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在所述步驟S200之后，還包括，步驟S300，采用VUV光度計測試所述減反射膜的殘余反射光譜和透射光譜；其中，測試時，在整個光路中吹掃高純N₂，測試光偏振態選擇P或S偏振，測試波長范圍160nm-300nm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述沉積高折射率單層膜采用的高折射率材料為LaF₃，所述沉積低折射率單層膜采用的低折射率材料為MgF₂。

8.一種大角度入射減反射膜，其特征在于：所述減反射膜采用權利要求1所述的制備方法制的，所述減反射膜的結構為：CaF₂/厚度為24.6nm的LaF₃層，厚度為53.8nm的MgF₂層，厚度為28.2nm的LaF₃層，厚度為53.8nm的MgF₂層，厚度為28.2nm的LaF₃層，厚度為53.7nm的MgF₂層，厚度為28.3nm的LaF₃層，厚度為3.5nm的MgF₂層，厚度為107.2nm的傾斜沉積的MgF₂層/空氣，靠近空氣的最外側MgF₂膜采用真空熱沉積方法，以入射沉積角度78°傾斜沉積而成。