[發明專利]一種抗果樹重茬的微生物菌劑及其制備方法在審
申請號: | 201611167458.1 | 申請日: | 2016-12-16 |
公開(公告)號: | CN106614776A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
發明(設計)人: | 劉炳剛 | 申請(專利權)人: | 劉炳剛 |
主分類號: | A01N65/20 | 分類號: | A01N65/20;A01N63/04;A01N63/02;A01N63/00;A01N59/00;A01N47/28;A01N45/00;A01N43/16;A01N37/44;A01N35/06;A01P1/00;A01P3/00;C12N1/18 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 果樹 重茬 微生物 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種菌劑及其制備方法。具體的說,涉及一種抗果樹重茬的微生物菌劑及其制備方法,屬于農業技術領域。
背景技術
果樹重茬病又叫果樹重植病,果樹重植,連續種植,片面的消耗某些營養元素,使土壤營養元素呈現不平衡,一些微量元素不斷減少,對作物營養失衡影響重大,同時造成生理性病害的發生。同時,果樹殘體分解產生毒素,如有機酸、醛、醇、烴等導致自毒現象,影響作物自身的生長。
目前,抗果樹重茬的方法主要有:第一、合理補充土壤的營養元素,該方法主要是針對重茬引起的果樹缺素癥;第二、進行土壤消毒處理,該方法適用于栽種下一茬果樹前;第三、給苗木進行抗重茬處理,包括接種一些抗性真菌,這種方法雖然有效,但也是適用于種植前,對于果樹生長中期或后期發生的一些病癥再去采用這種方法不合適,作用也不大。
在實際生產中,果農發現重茬病的發生時,果樹已經長大,或者是成熟期;往往是通過植株枝葉生長狀態和結果情況來判斷果樹的病癥;此時發生的果樹根尖腐爛病是最嚴重的一種病癥,也是減產、減收最明顯的病癥;此時發生的果樹根系腐爛往往從根尖開始腐爛,緩慢向根基部發展,因此,植株患病后不會立馬表現較為惡劣的癥狀,如果能及時阻止根部腐爛,但由于患病處在地下兩三米深的位置,施藥難,使得重茬引起的爛根病難以治愈,如果攻克該病患,可以挽救大量果樹,社會意義重大,是本領域研究果樹重茬方面的瓶頸問題。
發明人長期致力于研究抗重茬的微生物菌劑,多年來的探索,特別是針對抗果樹重茬的微生物菌劑,取得了一定的成果。
目前的抗果樹重茬的微生物菌劑存在的缺陷:不能解決果樹生長中發生的,果樹重茬引起的根尖腐爛、根尖不長。
發明內容
針對以上問題,本發明提供一種抗果樹重茬的微生物菌劑及其制備方法,實現的發明目的是:解決果樹生長中發生的,果樹重茬引起的根尖腐爛、根尖不長問題。
為解決以上問題,本發明采用以下技術方案:
一種抗果樹重茬的微生物菌劑,所述的微生物菌劑包括以下組分:蛋氨酸、賴氨酸、尿素、酵母浸膏、牛肉膏、硫酸銨、紫云英、異嗪皮啶、蟲草多糖、β-谷甾醇、輔酶Q10、釀酒酵母菌粉、植物乳桿菌菌粉、德爾布有孢圓酵母菌菌粉。
以下是對上述技術方案的進一步改進:
所述的微生物菌劑包括以下重量份的組分:
蛋氨酸5~8份、賴氨酸5~7份、尿素1~3份、酵母浸膏11~15份、牛肉膏5~8份 、硫酸銨1.2~1.6份、紫云英11~15份、異嗪皮啶1.5~3份、蟲草多糖1. 2~2.5份、β-谷甾醇 1.8~2.2份、輔酶Q10 2~5份、釀酒酵母菌粉7~8份、植物乳桿菌菌粉4~6份、德爾布有孢圓酵母菌菌粉10~13份。
進一步的,所述的微生物菌劑包括以下重量份的組分:
蛋氨酸7~8份、賴氨酸6份、尿素1~2份、酵母浸膏14~15份、牛肉膏5~6份 、硫酸銨1.5份、紫云英12~14份、異嗪皮啶1.8~3份、蟲草多糖1.2~2份、β-谷甾醇 1.9~2份、輔酶Q10 4~4.5份、釀酒酵母菌粉7.5~7.8份、植物乳桿菌菌粉4~5.5份、德爾布有孢圓酵母菌菌粉11~13份。
所述的酵母浸膏:含氮(干基)%≥10%,氨基氮(干基)%≥4.5%,pH為6.5,NaCl含量≤1%;
所述的紫云英:為紫云英鮮草曬干后,烘干至水分含量9%以下,粉碎至200目的細粉;
所述的異嗪皮啶:有效成分含量為98%,密度為1.358 g/m3,閃點為183.2℃;
所述的輔酶Q10:有效成分含量為20%。
所述的釀酒酵母菌粉:含釀酒酵母活菌量為1.4×109CFU/ g;
所述的植物乳桿菌菌粉:含植物乳桿菌活菌量為6×108CFU/ g;
所述的德爾布有孢圓酵母菌菌粉:含德爾布有孢圓酵母菌活菌量為1.1×109CFU/ g。
一種抗果樹重茬的微生物菌劑的制備方法,所述的制備方法包括汽蒸步驟,所述的汽蒸:蒸汽溫度為118-120℃,控制壓強為1.2atm,汽蒸時間為1小時;汽蒸后,以2-3℃/min的降溫速率冷卻至25℃。
所述的制備方法還包括超聲破壁步驟,所述的超聲破壁:料液比為1:20。
所述的超聲破壁:超聲波功率為90-92w,破壁時間為20-22min。
所述的制備方法還包括穩定處理,所述穩定處理:
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