[發明專利]基于金-鐵電單晶體系的負微分電阻效應器件及其制備

有效

• 申請號: 201611167302.3
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108206239B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 張靜;柯三黃
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: H01L47/00
• 分類號: H01L47/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.一種基于金-鐵電單晶體系的負微分電阻效應器件，其特征在于，包括分別作為源極和漏極的兩個金電極，接觸設置在兩個金電極之間并構成中間散射區的鐵電單晶，以及分別連接所述鐵電單晶兩邊的柵極，所述的金電極、鐵電單晶均為位于X軸和Y軸構成平面內的薄層材料，所述的兩個金電極和鐵電單晶以“金電極-鐵電單晶-金電極”式的“三明治結構”沿Z軸周期性排列并構成所述負微分電阻效應器件；

所述的兩個金電極的間距為納米量級，所述的鐵電單晶薄層材料的沿Z軸方向的厚度為納米量級；

所述的鐵電單晶為鐵電晶體CdPbO₃；

負微分電阻效應，是利用所述鐵電單晶的陽離子Cd的4d軌道的態密度與金電極表面態之間耦合而形成的。

2.如權利要求1所述的基于金-鐵電單晶體系的負微分電阻效應器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)利用金表面作為負微分電阻效應器件的源極和漏極；

(2)將構成中間散射區的鐵電單晶的氧表面與金電極兩端接觸，形成氧化層；

(3)將位于X軸與Y軸構成平面內的金電極和鐵電單晶的材料薄層在Z軸方向上排列形成“三明治結構”，并將所述“三明治結構”沿Z軸周期性排列構成層狀結構的雙電極體系的電輸送系統；

(4)在所述電輸送系統的鐵電單晶兩邊設計出留作柵極的孔洞，并在孔洞中制作所述柵極，即得到所述負微分電阻效應器件。