[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201611165928.0
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN107026148B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: V.阮;T.奧斯津達;白宗玟;安商燻;金秉熙;劉禹炅;李來寅
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體器件，包括：

基板，具有第一區和第二區；

第一中間絕緣層，在所述基板上并限定開口；

導電圖案，在所述開口中，在所述基板的所述第二區上限定空氣間隙，所述空氣間隙被限定在所述導電圖案之間；

第一至第四絕緣圖案，依次堆疊在所述基板的所述第一區上以覆蓋所述導電圖案，且在所述第一至第四絕緣圖案中的相鄰層之間形成界面；和

第二中間絕緣層，在所述第四絕緣圖案上，

其中所述第四絕緣圖案延伸為包括覆蓋所述第二區上的所述導電圖案的至少一部分，以及

其中在所述第一區中所述第一絕緣圖案與所述導電圖案接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第四絕緣圖案覆蓋所述第二區上的所述導電圖案的頂表面和側表面。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一中間絕緣層具有位于所述導電圖案之間的凹陷區，

所述第四絕緣圖案覆蓋所述凹陷區的底表面和側表面，和

所述空氣間隙在所述凹陷區中。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述空氣間隙在所述第四絕緣圖案和所述第二中間絕緣層之間。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第四絕緣圖案在所述第二區上具有比在所述第一區上低的底表面。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中每個所述導電圖案包括：

阻擋圖案，在所述開口的底表面和側表面上；和

金屬圖案，在所述阻擋圖案上，

其中所述金屬圖案包括第一部分和第二部分，

所述金屬圖案的所述第一部分的頂表面低于所述金屬圖案的所述第二部分的頂表面和所述阻擋圖案的頂表面，和

與所述第二部分相比，所述第一部分更靠近所述阻擋圖案的側表面。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述金屬圖案和所述第一絕緣圖案以無空隙方式彼此直接接觸。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第三絕緣圖案延伸為具有插置在所述基板的所述第二區上的所述導電圖案和所述第四絕緣圖案之間的至少一部分。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述第三絕緣圖案在所述第二區上與所述導電圖案的頂表面直接接觸，所述第三絕緣圖案由不含氧材料形成。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第四絕緣圖案在所述第二區上與所述導電圖案的頂表面直接接觸，所述第四絕緣圖案由不含氧材料形成。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第四絕緣圖案在所述空氣間隙和所述第一中間絕緣層之間。

12.一種半導體器件，包括：

基板；

中間絕緣層，在所述基板上并限定開口；

阻擋圖案，在所述開口的底表面和側表面上；

金屬圖案，在所述開口中并在所述阻擋圖案上，所述金屬圖案包括第一部分和第二部分，該第一部分暴露出所述阻擋圖案的內側表面，該第二部分具有比所述第一部分的頂表面高的頂表面；和

第一至第四絕緣圖案，依次堆疊在所述中間絕緣層和所述金屬圖案上，且在所述第一至第四絕緣圖案中的相鄰層之間形成界面，

其中所述第一絕緣圖案具有與所述金屬圖案的所述第一部分的所述頂表面和所述第二部分的所述頂表面接觸的底表面。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述第一絕緣圖案的所述底表面與所述阻擋圖案的所述內側表面接觸。

14.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述金屬圖案和所述第一絕緣圖案以無空隙方式彼此直接接觸。