[發(fā)明專利]包括介質(zhì)天線的光調(diào)制器件以及光學(xué)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611165925.7
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN106918927B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李斗鉉;金善日;申昶均;金楨佑;李昌范
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波;王新華

1.一種光調(diào)制器件，包括：

介質(zhì)天線；

折射率可變層，面對所述介質(zhì)天線并包括具有根據(jù)施加到其的信號而變化的折射率的材料；

第一導(dǎo)電層，設(shè)置在所述折射率可變層上方；和

第二導(dǎo)電層，設(shè)置在所述折射率可變層下方，

其中在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間施加的電壓在所述折射率可變層中形成電場，

其中通過在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間施加的所述電壓以及在所述介質(zhì)天線與所述第二導(dǎo)電層之間的距離，調(diào)節(jié)所述介質(zhì)天線的共振特性。

2.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，其中如果將被所述光調(diào)制器件調(diào)制的光的波長為λ，則所述介質(zhì)天線的橫截面的寬度等于或小于λ/2。

3.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，其中所述折射率可變層的折射率小于所述介質(zhì)天線的折射率。

4.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，其中所述介質(zhì)天線包括具有大于10的介電常數(shù)的材料。

5.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，還包括信號施加機(jī)構(gòu)，該信號施加機(jī)構(gòu)配置為在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間施加所述電壓，從而引起所述折射率可變層的折射率的變化。

6.如權(quán)利要求5所述的光調(diào)制器件，其中所述信號施加機(jī)構(gòu)包括配置為在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間施加所述電壓的電壓源。

7.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，其中所述介質(zhì)天線布置在所述折射率可變層上，

所述第一導(dǎo)電層布置在所述介質(zhì)天線和所述折射率可變層之間。

8.如權(quán)利要求7所述的光調(diào)制器件，其中所述第一導(dǎo)電層包括透明導(dǎo)電氧化物。

9.如權(quán)利要求7所述的光調(diào)制器件，其中所述第二導(dǎo)電層包括金屬性層。

10.如權(quán)利要求7所述的光調(diào)制器件，其中所述第二導(dǎo)電層包括透明導(dǎo)電氧化物。

11.如權(quán)利要求10所述的光調(diào)制器件，還包括布置在所述第二導(dǎo)電層下面的介質(zhì)反射鏡。

12.如權(quán)利要求7所述的光調(diào)制器件，還包括布置在所述折射率可變層和所述第二導(dǎo)電層之間的間隔物層。

13.如權(quán)利要求12所述的光調(diào)制器件，其中所述間隔物層包括具有比所述介質(zhì)天線的折射率小的折射率的介電材料。

14.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，其中所述折射率可變層布置在所述介質(zhì)天線上，

所述第二導(dǎo)電層布置在所述介質(zhì)天線下面。

15.如權(quán)利要求14所述的光調(diào)制器件，還包括布置在所述第二導(dǎo)電層下面的介質(zhì)反射鏡。

16.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器件，其中所述介質(zhì)天線包括多個(gè)介質(zhì)天線單元，并且

所述折射率可變層包括分別面對所述多個(gè)介質(zhì)天線單元的多個(gè)折射率可變單元。

17.如權(quán)利要求16所述的光調(diào)制器件，還包括：

折射率變化調(diào)節(jié)單元，配置為調(diào)節(jié)所述多個(gè)折射率可變單元的每個(gè)的折射率變化。

18.如權(quán)利要求17所述的光調(diào)制器件，其中所述折射率變化調(diào)節(jié)單元包括：

多對電極部，每對電極部配置為使所述多個(gè)折射率可變單元中的相應(yīng)的折射率可變單元在其間；和

控制器，配置為控制施加到所述多對電極部中的每對電極部的電壓。