[發明專利]蝕刻方法

有效

• 申請號: 201611165712.4
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN106952798B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 竹田諒平;富永翔;大矢欣伸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/311
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種蝕刻方法，其具有如下工序：

第1工序，在該第1工序中，在晶圓的溫度是－35℃以下的極低溫度環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力，從第2高頻電源輸出頻率比所述第1高頻低的第2高頻的電力，從含氫氣體以及含氟氣體生成等離子體，利用等離子體對層疊氧化硅膜以及氮化硅膜而成的層疊膜和氧化硅膜的單層膜進行蝕刻；

第2工序，在該第2工序中，停止所述第2高頻電源的輸出，

反復進行多次所述第1工序和所述第2工序，所述第1工序的時間比所述第2工序的時間短。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，

在所述第2工序中，與所述第2高頻電源的輸出的停止同步地使所述第1高頻電源的輸出停止。

3.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其中，

所述第1工序的時間是所述第2工序的時間的1/3以下。

4.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其中，

含氫氣體是氫氣即H₂氣體，含氟氣體是四氟化碳氣體即CF₄氣體。

5.一種蝕刻方法，其中，

在晶圓的溫度是－35℃以下的極低溫度環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力，從第2高頻電源輸出頻率比所述第1高頻低的第2高頻的電力，從含氫氣體以及含氟氣體生成等離子體，利用等離子體對層疊氧化硅膜以及氮化硅膜而成的層疊膜和氧化硅膜的單層膜進行蝕刻，

所述第1高頻的電力和所述第2高頻的電力是脈沖波，控制所述脈沖波的占空比。

6.根據權利要求5所述的蝕刻方法，其中，

控制的所述占空比是50％以下。

7.根據權利要求6所述的蝕刻方法，其中，

所述第1高頻的電力以及所述第2高頻的電力的所述占空比相同。

8.根據權利要求5～7中的任一項所述的蝕刻方法，其中，

含氫氣體是氫氣即H₂氣體，含氟氣體是四氟化碳氣體即CF₄氣體。

9.一種蝕刻方法，其具有如下工序：

第1工序，在該第1工序中，在晶圓的溫度是－35℃以下的極低溫度環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力，從第2高頻電源輸出頻率比所述第1高頻低的第2高頻的電力，從含氫氣體以及含氟氣體生成等離子體，利用等離子體對層疊氧化硅膜以及氮化硅膜而成的層疊膜和氧化硅膜的單層膜進行蝕刻；

和第2工序，在該第2工序中，停止所述第2高頻電源的輸出，

在所述第2工序中，以與所述第2高頻電源的輸出的停止同步地縮小所述第1高頻電源的輸出的方式進行控制，

反復進行多次所述第1工序和所述第2工序，所述第1工序的時間比所述第2工序的時間短。

10.根據權利要求9所述的蝕刻方法，其中，

所述第1工序的時間是所述第2工序的時間的1/3以下。

11.根據權利要求9或10所述的蝕刻方法，其中，

含氫氣體是氫氣即H₂氣體，含氟氣體是四氟化碳氣體即CF₄氣體。

12.一種蝕刻方法，其中，

在晶圓的溫度是－35℃以下的極低溫度環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力，從第2高頻電源輸出頻率比所述第1高頻低的第2高頻的電力，從含氫氣體以及含氟氣體生成等離子體，利用等離子體對層疊氧化硅膜以及氮化硅膜而成的層疊膜和氧化硅膜的單層膜進行蝕刻，

所述第1高頻的電力和所述第2高頻的電力是脈沖波，

控制所述脈沖波的占空比，

以與所述第2高頻電源的輸出的停止同步地縮小所述第1高頻電源的輸出的方式進行控制。