[發(fā)明專利]引線框架以及制造引線框架的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611164034.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107026142A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳道金;周安樂(lè);何偉強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安世有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 麥善勇,張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于集成電路的引線框架以及制造引線框架的方法。

背景技術(shù)

在一些應(yīng)用中使用高溫共熔管芯接合以用于將硅管芯接合到引線框架。在此類例子中，引線框架可以包括合金42基底材料。合金42是包括42％的鎳含量和58％的鐵含量并且具有低熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion，CTE)的已知的材料。以此方式，引線框架的CTE可以與管芯材料的CTE有利地匹配。因此，當(dāng)高溫被應(yīng)用于共熔管芯接合過(guò)程時(shí)，管芯和引線框架以類似速率膨脹，并且因此減小當(dāng)材料隨后冷卻或加熱時(shí)的任何機(jī)械困難的概率。例如，隨著管芯和引線框架收縮的在管芯與引線框架之間的機(jī)械應(yīng)力。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造引線框架的方法，該方法包括：

將嵌體插入到基底層中的凹痕中以提供引線框架材料，其中基底層包括第一材料并且嵌體包括第二材料；以及

從引線框架材料中形成引線框架；

其中第一材料包括銅和合金42中的一個(gè)，并且第二材料包括銅和合金42中的另一個(gè)。

此類方法可以是經(jīng)濟(jì)的且高效的。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一材料包括合金42，并且第二材料包括銅。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第二材料具有大約4μm到20μm的厚度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一材料包括銅，并且第二材料包括合金42。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，銅包括銅合金。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該方法另外包括：通過(guò)銅鍍覆來(lái)鍍覆引線框架。銅鍍覆可以具有小于大約2μm的厚度。通過(guò)銅鍍覆來(lái)鍍覆引線框架可以包括在引線框架的外表面的子集上提供銅鍍覆。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，基底層中的凹痕包括凹槽。凹槽可以基本上是直的。該方法可另外包括：在第二材料中雕刻凹槽。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該方法另外包括：在從引線框架材料中形成引線框架之前將壓力應(yīng)用到引線框架材料。這可以涉及將壓力應(yīng)用到整個(gè)引線框架材料。

還提供一種引線框架，其包括：

基底層，其具有凹痕，其中該基底層包括第一材料；

嵌體，其位于凹痕內(nèi)，其中嵌體包括第二材料；

其中第一材料包括銅和合金42中的一個(gè)，并且第二材料包括銅和合金42中的另一個(gè)。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，嵌體位于引線框架的接合墊區(qū)域處。

還提供了集成電路，該集成電路包括本文中所公開(kāi)的任何引線框架，或包括根據(jù)本文中所公開(kāi)的任何方法制造的引線框架。

雖然本發(fā)明容許各種修改和替代形式，但其細(xì)節(jié)已經(jīng)借助于例子在圖式中示出且將詳細(xì)地描述。然而，應(yīng)理解，也可能存在除所描述的具體實(shí)施例以外的其它實(shí)施例。也涵蓋落入所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等效物和替代實(shí)施例。

以上論述并非意圖呈現(xiàn)在當(dāng)前或?qū)?lái)權(quán)利要求集的范圍內(nèi)的每個(gè)例子實(shí)施例或每個(gè)實(shí)施方案。圖式和以下具體實(shí)施方式還舉例說(shuō)明各種例子實(shí)施例。結(jié)合附圖考慮以下具體實(shí)施方式可以更全面地理解各種例子實(shí)施例。

附圖說(shuō)明

現(xiàn)將僅借助于例子參考附圖描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，在附圖中：

圖1示意性地示出了用于制造引線框架的過(guò)程流程；

圖2示意性地示出了用于制造引線框架的過(guò)程流程的例子實(shí)施例；

圖3以圖形方式示出了制造引線框架的例子實(shí)施例中所涉及的步驟；

圖4示出了包括已經(jīng)根據(jù)圖3制造的引線框架的集成電路的例子實(shí)施例；

圖5a示出了圖4的IC的側(cè)視圖；

圖5b示出了圖4和圖5a的IC的引線中的一個(gè)的端部的放大視圖；

圖6a示出了已經(jīng)根據(jù)圖1的方法制造的IC的側(cè)視圖；

圖6b示出了圖6a的IC的引線中的一個(gè)的端部的放大視圖；以及

圖7、圖8、圖9和圖10示出四個(gè)不同IC的截面端部視圖。

具體實(shí)施方式

如本領(lǐng)域中已知，引線框架是在集成電路封裝(芯片)內(nèi)部并且攜帶從管芯到封裝引線的信號(hào)的金屬結(jié)構(gòu)，以用于連接到外界。接合線可用于將管芯電連接到引線框架。