[發明專利]可配置的ROM在審
| 申請號： | 201611163146.3 | 申請日： | 2016-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN107301877A | 公開（公告）日： | 2017-10-27 |
| 發明（設計）人： | S·德努爾梅;P·康德利耶 | 申請（專利權）人： | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/16 | 分類號： | G11C17/16;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人： | 王茂華,張寧 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 配置 rom | ||
【權利要求書】：
1.一種可配置ROM，包括電可編程反熔絲(42，44)以及通過掩蔽編程的反熔絲(46)。
2.根據權利要求1所述的可配置ROM，其中至少一個電可編程反熔絲包括電容器(1)，所述電容器與存取晶體管(3)串聯連接，所述電容器包括駐留在絕緣材料層(23)上的極板(25)，電接觸件被形成在所述存取晶體管的柵極(7)上、被形成在晶體管的與所述電容器相對的主區域(5)上以及被形成在所述電容器的極板(25)上。
3.根據權利要求2所述的可配置ROM，其中，通過掩蔽編程的至少一個反熔絲包括電可編程反熔絲的部件，并且進一步包括在所述晶體管(3)和所述電容器(1)之間在襯底(11)上的電接觸件。
4.根據權利要求2所述的可配置ROM，其中所述電接觸件中的每個電接觸件經由通孔連接至在第一金屬化層中形成的電極。
5.根據權利要求4所述的可配置ROM，其中電可編程反熔絲的所述電容器(1)的電極的形狀和尺寸與通過掩蔽編程的反熔絲的電容器(1)的電極的形狀和尺寸等同。
6.根據權利要求2所述的可配置ROM，其中所述絕緣材料層具有與所述存取晶體管的柵極絕緣體層相同的厚度，并且由與所述存取晶體管的柵極絕緣體層相同的材料制成。
7.根據權利要求6所述的可配置ROM，其中所述絕緣材料層和所述柵極絕緣體層具有在從1nm至10nm范圍內的厚度。
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