[發明專利]一種雙電源功率放大器電路有效
| 申請號: | 201611161806.4 | 申請日: | 2016-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN106603023B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發明(設計)人: | 王俊;李斌;王文廷;呂士如 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號: | H03F1/32 | 分類號: | H03F1/32;H03F3/45 |
| 代理公司: | 34102 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 張建宏 |
| 地址: | 233006 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙電源 功率放大器 電路 | ||
本發明公開了一種雙電源功率放大器電路,包括有輸入電路,偏置電路和輸出電路組成;偏置電路是由NPN晶體管V4、電阻R2—R4、電容C3和數字偏置電路組成。數字偏置電路包括有依次連接的現場可編程門陣列FPGA、光耦隔離電路和可編程數字電位計D1,可編程數字電位計D1的兩輸出端分別與電阻R2的另一端、電阻R3的另一端連接。本發明采用現場可編程門陣列FPGA產生可編程數字電位計的控制信號,使其產生需要的可變電阻,來組成VBE擴大電路,從而調節功率管的偏置電壓,實現了偏置電路數字化設計,避免出現交越失真,實現自動校準。
技術領域
本發明涉及半導體器件分析相關技術領域,具體是一種雙電源功率放大器電路。
背景技術
隨著半導體器件制造技術、電力電子技術的發展和復雜自動測試的需求,常規的電壓-電流(IV)測量和電容-電壓(CV)測量已經無法滿足半導體器件測試需求,需要高精度大電流脈沖源來測試其動態性能特性。
常用的直流輸入大電流脈沖源框圖如圖1所示。由DC-DC變換、脈沖產生、控制電路、驅動隔離電路、采樣電路、輔助電源和人機接口組成,在框圖中有三個關鍵的電路:DC-DC變換、脈沖產生和控制電路,特別是脈沖產生電路提供了整個輸出功率,在設計時通常采用雙電源功率放大電路實現大電流脈沖的輸出,但是雙電源功率放大電路的使用,在沒有直流偏置的情況下,容易產生死區,在模擬電路上這種現象稱為交越失真。為了解決這個問題,通常采用二極管(圖2)或者VBE擴大電路(圖3)進行偏置補償。采用二極管進行偏置補償時,由于偏置電壓不容易調整,故不經常使用。設計人員在設計時通常使用VBE擴大電路來進行偏置補償,在產品出廠前將偏置電壓進行校準,但是在半導體器件分析測試時,由于測試環境不同,特別是環境溫度的影響,造成雙電源功率放大電路的功率管特性改變,需要自動校準偏置電壓,否則會出現交越失真。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種雙電源功率放大器電路,采用可編程數字電位計實現雙電源功率放大器數字偏置補償,使雙電源功率放大器電路自動校準成為現實。
本發明的技術方案為:
一種雙電源功率放大器電路,包括有輸入電路,偏置電路和輸出電路組成;所述的偏置電路是由NPN晶體管V4、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C3和數字偏置電路組成,所述的電阻R3的一端、電阻R4的一端均與NPN晶體管V4的基極連接,所述的電阻R2的一端、電容C3的一端均與NPN晶體管V4的集電極連接,所述的電阻R4的另一端、電容C3的另一端均與NPN晶體管V4的發射極連接,所述的NPN晶體管V4的集電極和發射極連接于輸入電路和輸出電路之間;所述的數字偏置電路包括有依次連接的現場可編程門陣列FPGA、光耦隔離電路和可編程數字電位計D1,所述的可編程數字電位計D1的兩輸出端分別與電阻R2的另一端、電阻R3的另一端連接。
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